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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光雷达系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120473821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510579171.2，技术领域涉及：H01S5/50；该发明授权一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光雷达系统是由宋俊峰;李杰;胡鹤鸣;陈柏松;李盈祉;李雪妍;胡小龙设计研发完成，并于2025-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光雷达系统在说明书摘要公布了：本发明提出一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光雷达系统，涉及激光雷达技术领域，硅基片上可调双增益光学结构包括：第一反射型半导体光放大器、第二反射型半导体光放大器、第一调相器、第二调相器、第一光耦合器、第三调相器、第四调相器、第二光耦合器、第一端口和第二端口；通过调节两个反射型半导体光放大器之间的相位差来调节反射光电场和透射光电场。利用多个硅基片上状态可调双增益光学结构与发射光学相控阵、接收光学相控阵、平衡光电探测器等构成激光雷达系统，实现灵活调节发射光学相控阵的发射功率，同时采用多个反射型半导体光放大器，激光雷达功率实现了显著提高，实现基于光学相控阵的激光雷达系统的长距离探测。

本发明授权一种硅基片上状态可调双增益光学结构和激光雷达系统在权利要求书中公布了：1.一种硅基片上状态可调双增益光学结构，其特征在于，包括： 第一反射型半导体光放大器、第二反射型半导体光放大器、第一调相器、第二调相器、第一光耦合器、第三调相器、第四调相器、第二光耦合器、第一端口和第二端口， 所述第一反射型半导体光放大器第一端连接所述第一调相器的第一端，所述第二反射型半导体光放大器的第一端连接所述第二调相器的第一端，所述第一调相器的第二端和所述第二调相器第二端分别连接所述第一光耦合器的第一端和第二端，所述第一光耦合器的第三端和第四端分别连接所述第三调相器的第一端和所述第四调相器的第一端，所述第三调相器的第二端和所述第四调相器的第二端分别连接所述第二光耦合器的第一端和第二端，所述第二光耦合器的第三端和第四端分别连接所述第一端口和所述第二端口，入射光从所述第一端口进入，反射光从所述第一端口输出，所述第二端口用于输出透射光； 所述第一调相器、所述第二调相器、所述第一光耦合器、所述第三调相器、所述第四调相器、所述第二光耦合器集成到同一硅基芯片上，所述第一反射型半导体光放大器的第二端和所述第二反射型半导体光放大器的第二端均镀高反射膜，通过调节两个反射型半导体光放大器之间的相位差来调节所述反射光的电场和所述透射光的电场。

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