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龙图腾网获悉贵州梵天农业科技有限责任公司申请的专利一种铁皮石斛无人接种组培方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120530886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510726856.5，技术领域涉及：A01H4/00；该发明授权一种铁皮石斛无人接种组培方法及其应用是由杨文明;刘货货;胡程萍;陈超;陈华;韦有鸾设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁皮石斛无人接种组培方法及其应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种铁皮石斛无人接种组培方法及其应用。属于组织培养技术领域。本申请首创性采用垂直梯度培养基，实现发育阶段自动转换；培养基渗透压梯度设计，引导根系定向生长；营养相变技术：利用诱导层、分化层和壮苗层的琼脂浓度差异，实现培养基物理特性梯度，通过自动化设备和优化的组培流程，实现铁皮石斛种子的无人接种组培，克服现有技术中人工接种效率低、污染率高、成本高，培养周期长的问题，提高铁皮石斛组培的效率、质量和经济效益、能够满足大规模工厂化生产的需求。

本发明授权一种铁皮石斛无人接种组培方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种铁皮石斛无人接种组培方法，其特征在于，包括如下步骤： 1培养基的制备： 壮苗层的制备：MS培养基+1.2％琼脂+3.0-3.5％蔗糖+KNO320-30mM； 分化层的制备：12MS培养基+0.8％琼脂+TDZ0.06-0.10mgL+NAA 0.008-0.012mgL； 诱导层的制备：14MS培养基+0.4％琼脂+0.01-0.02％海藻糖； 2梯度灌装：将步骤1所述壮苗层、分化层和诱导层培养基消毒后，在Class100洁净环境中按照壮苗层、分化层和诱导层由下至上依次灌装，制备得到垂直梯度培养基； 3动态培养：在步骤2垂直梯度培养基中接种铁皮石斛种子，置于24-26℃、湿度65-75％、黑暗条件下，诱导培养28-32d； 随后调整光照强度为28-32μmolms，昼夜温差为24-26℃17-19℃，分化培养28-32d； 调整为蓝光照射，光照强度为45-55μmolms，CO浓度为950-1050ppm，壮苗培养85-95d； 步骤1所述壮苗层经121℃高压灭菌20min； 所述分化层经γ射线25-30kGy辐照灭菌； 所述诱导层分步进行灭菌，具体灭菌过程如下：将14MS培养基用0.22μm滤膜过滤除菌；0.4％琼脂粉用121℃高压灭菌15min，冷却至60℃后与过滤后的MS培养基混合；将海藻糖配制成10％母液，经0.22μm滤膜过滤后加入冷却至45℃的培养基中； 步骤2所述灌装，在45℃恒温条件下灌装；具体灌装制得垂直梯度培养基的过程如下，采用自动灌装设备进行一条线轨道分三条灌装线灌装：一号灌装线：使用自动化灌装设备，将壮苗层按照设定的剂量精确灌装到组培容器中；冷却：将灌装壮苗层的组培容器，置于10-20℃冷却处理10-30min，使壮苗层快速凝固；二号灌装线：待壮苗层完全凝固后，转入二号灌装线，将分化层灌装到组培容器中，覆盖在壮苗层表面；冷却：将灌装分化层的组培容器，置于10-20℃冷却处理10-30min，使分化层快速凝固；三号灌装线：待分化层完全凝固后，转入三号灌装线，将诱导层灌装到组培容器中，覆盖在分化层表面，消毒，制备得到垂直梯度培养基； 步骤2所述壮苗层的灌装厚度为30-40mm；所述分化层的灌装厚度为10-15mm；所述诱导层的灌装厚度为0.5-1mm； 步骤2壮苗层的渗透压为480-520mOsmkg；所述分化层的渗透压为280-320mOsmkg；所述诱导层的渗透压为150-200mOsmkg。

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