武汉大全能源技术股份有限公司武美娜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大全能源技术股份有限公司申请的专利一种半导体器件损耗智能计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120561442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510632117.X，技术领域涉及：G06F17/18；该发明授权一种半导体器件损耗智能计算方法及系统是由武美娜;陈荣强;王文进;余子真;胡石明设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件损耗智能计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件损耗智能计算方法及系统，该方法首先实时采集半导体器件的运行电参数和周围环境多个测温点的温度参数，形成带时间戳的同步运行数据集。基于半导体物理原理建立参数化本体损耗模型，描述导通损耗和开关损耗随电参数和结温变化的关系。根据控制柜物理布局和热传递路径建立参数化热耦合效应模型，用待辨识热阻参数描述器件与其他热源间的热传递关系。采用参数辨识算法并利用同步运行数据集辨识更新模型参数，得到反映当前工况和耦合状态的自适应模型参数集。结合同步运行数据集和自适应模型参数集，通过本体损耗模型和热耦合效应模型计算得到半导体器件的实时损耗值，实现在实际工况下的准确损耗评估。
本发明授权一种半导体器件损耗智能计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件损耗智能计算方法，其特征在于，包括如下步骤： 实时采集控制柜内半导体器件的运行电参数以及半导体器件邻近环境预设的多个测温点的温度参数，形成包含时间戳的同步运行数据集； 基于半导体物理原理建立半导体器件参数化的本体损耗模型，本体损耗模型包含用于描述半导体器件导通损耗和开关损耗随运行电参数和结温变化的待辨识器件参数； 基于控制柜的物理布局和热传递路径建立参数化的热耦合效应模型，热耦合效应模型使用待辨识热阻参数描述半导体器件与控制柜内其他热源之间的热量传递关系； 采用参数辨识算法并利用同步运行数据集辨识并更新待辨识器件参数和待辨识热阻参数，得到反映控制柜当前工况和耦合状态的自适应模型参数集； 结合同步运行数据集和自适应模型参数集，并通过本体损耗模型和热耦合效应模型计算得到半导体器件的实时损耗值。
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