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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812318.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由孙春雨;徐文清;赵雷超;史小平设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底，衬底具有若干沟槽，相邻的沟槽之间的衬底形成鳍部，鳍部的上端具有掩膜层；制备方法包括以下步骤：第一沉积步：在沟槽内沉积第一介质层，第一介质层的厚度小于沟槽的深度；第一退火步：对沉积有第一介质层的半导体器件进行退火处理。以半导体器件为鳍式场效应晶体管为例，本发明提供的一种半导体器件的制备方法，通过限定第一介质层的厚度小于沟槽的深度，能够减小第一介质层与沟槽的侧壁面的接触面积的同时，降低第一介质层对鳍部的应力，减小甚至避免鳍部的弯曲变形，从而提升鳍式场效应晶体管的电学性能以及提高鳍式场效应晶体管的成品率。

本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，半导体器件包括衬底100，所述衬底100具有若干沟槽200，所述沟槽200为U形槽，所述U形槽的底部为圆弧槽，相邻的所述沟槽200之间的所述衬底100形成鳍部204，所述鳍部204的上端的尺寸小于所述鳍部204的下端的尺寸，且所述鳍部204的上端的尺寸远小于所述沟槽200的上端的开口尺寸，所述鳍部204的上端具有掩膜层101； 所述制备方法包括以下步骤： 第一沉积步：在所述沟槽200内沉积第一介质层202，所述第一介质层202的厚度小于所述沟槽200的深度； 第一退火步：对沉积有所述第一介质层202的所述半导体器件进行退火处理； 第二沉积步：在所述沟槽200内沉积第二介质层203，所述第二介质层203覆盖于所述第一介质层202的上表面且高于所述掩膜层101的上表面； 第二退火步：对沉积有所述第二介质层203的所述半导体器件进行退火处理。

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