合肥晶合集成电路股份有限公司赫文振获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511328011.7，技术领域涉及：H10W20/48；该发明授权形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构是由赫文振;运广涛;张伟;罗钦贤;苏圣哲设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构，所述方法包括：提供半导体前段器件结构，所述半导体前段器件结构上具有刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上沉积一层介质薄层；在螺旋等离子体环境下利用乙醚清洗所述介质薄层；以及按照设置的循环次数执行所述沉积的步骤和所述清洗的步骤，以形成具有至少一层结构的缓冲层。与现有技术相比，本申请意想不到的技术效果是：可形成具有低介电常数的缓冲层，从而降低低介电常数材料层和缓冲层构成的互连结构的层间介电层的总体介电常数，改善互连结构中的RC延迟。
本发明授权形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法及互连结构在权利要求书中公布了：1.一种形成用于低介电常数材料层的缓冲层的方法，其特征在于，包括： 提供半导体前段器件结构，所述半导体前段器件结构上具有刻蚀阻挡层； 在所述刻蚀阻挡层上沉积一层介质薄层，所述介质薄层采用的材料为硅氧化物SiOx； 在螺旋等离子体环境下利用乙醚清洗所述介质薄层，以对经过沉积后残留的杂质进行溶解和抽走；所述螺旋等离子体环境中的等离子体设备的腔室的上部具有上部线圈、下部具有下部电极以及侧壁环绕有螺旋形的侧部线圈；以及 按照设置的循环次数执行所述沉积的步骤和所述清洗的步骤，以形成具有至少两层结构的缓冲层； 在所述缓冲层上方形成低介电常数材料层，以使所述缓冲层与所述低介电常数材料层构成互连结构的层间介电层。
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