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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511054019.9，技术领域涉及：H05K3/06；该发明授权一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法是由王斌;窦正旭;唐冬梅设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法，涉及覆铜陶瓷基板制造技术领域，包括以下步骤：将AMB基板置入在焊料蚀刻液中，搅拌浸泡5‑15min，得到焊料蚀刻AMB基板；对焊料蚀刻AMB基板进行水洗，取出烘干，后置于蚀铜液中，恒温浸泡30‑60s，再次水洗烘干，得到铜蚀刻AMB基板；重复上述两步骤，3‑5次焊料蚀刻后，过清洗线清洗产品并烘干，得到AMB覆铜陶瓷基板。

本发明授权一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种减少AMB覆铜陶瓷基板焊料蚀刻铜残留的方法，其特征在于：包含以下步骤： S1：将AMB基板置入在焊料蚀刻液中，搅拌浸泡5-15min，得到焊料蚀刻AMB基板； S2：对焊料蚀刻AMB基板进行水洗，取出烘干，后置于蚀铜液中，恒温浸泡30-60s，再次水洗烘干，得到铜蚀刻AMB基板； S3：重复S1、S2,3-5次焊料蚀刻后，过清洗线清洗产品并烘干，得到AMB覆铜陶瓷基板； 所述焊料蚀刻液包括以下组分：过硫酸铵、硫酸、氨基多羧酸类化合物、噻二唑类化合物、十二烷基二甲基甜菜碱和去离子水； 所述蚀铜液包括以下组分：过氧化氢、硫酸、硫酸铜、柠檬酸、磷酸、植酸、咪唑类化合物、2-巯基苯并恶唑、乙二胺四亚甲基膦酸、十六烷基三甲基溴化铵和去离子水； 所述焊料蚀刻液的制备方法如下：将硫酸缓慢加入去离子水中，搅拌冷却，加入氨基多羧酸类化合物，搅拌5-15min，依次加入噻二唑类化合物、十二烷基二甲基甜菜碱，搅拌混匀，再加入过硫酸铵，搅拌混匀，得到焊料蚀刻液； 所述蚀铜液的制备方法如下：将硫酸缓慢加入去离子水中，搅拌冷却，后依次加入硫酸铜、磷酸和柠檬酸，搅拌混匀，再加入乙二胺四亚甲基膦酸、2-巯基苯并恶唑、咪唑类化合物、植酸和十六烷基三甲基溴化铵，搅拌至溶液澄清，最后缓慢加入过氧化氢，搅拌，得到蚀铜液； 所述AMB基板的制备过程中所用钎料为Ag-Cu-Ti系钎焊膏。

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