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龙图腾网获悉联和存储科技(江苏)有限公司申请的专利NAND闪存存储装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511319756.7，技术领域涉及：H10B41/42；该发明授权NAND闪存存储装置及其制备方法是由金汉洙;高伟;申女设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本NAND闪存存储装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种NAND闪存存储装置及其制备方法，包括：提供硅衬底基板；在硅衬底基板的存储区域形成存储单元阵列以及在硅衬底基板的驱动区域形成驱动电路，驱动电路至少包括CMOS型晶体管，CMOS型晶体管至少包括高压型CMOS晶体管；高压型CMOS晶体管的隔离区域下方的场区离子注入工艺与存储单元阵列中的P型阱区单元的形成工艺为基于同一掩模板实现，高压型CMOS晶体管的隔离区域下方的场区离子的掺杂浓度大于硅衬底基板的掺杂浓度。本发明提供的NAND闪存存储装置的制备方法能够在不降低NAND闪存存储装置的性能的前提下控制NAND闪存装置的成本增加。

本发明授权NAND闪存存储装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存存储装置的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底基板，所述硅衬底基板被划分为存储区域和驱动区域； 在所述硅衬底基板的存储区域形成存储单元阵列以及在所述硅衬底基板的驱动区域形成驱动电路，所述驱动电路至少包括CMOS型晶体管，所述CMOS型晶体管至少包括高压型CMOS晶体管； 其中，所述高压型CMOS晶体管的隔离区域下方的场区离子注入工艺与所述存储单元阵列中的P型阱区单元的形成工艺为基于同一掩模板实现，所述高压型CMOS晶体管的隔离区域下方的场区离子的掺杂浓度大于所述硅衬底基板的掺杂浓度； 其中，在所述硅衬底基板的存储区域形成存储单元阵列以及在所述硅衬底基板的驱动区域形成驱动电路，包括： 在所述硅衬底基板的存储区域形成深N型阱区； 在所述深N型阱区上形成间隔设置的N型阱区； 在所述存储区域的每相邻两个N型阱区之间以及所述驱动区域的硅衬底基板上基于同一掩模板形成位于所述存储区域的第一P型阱区单元、位于所述驱动区域的间隔设置的第二P型阱区单元以及在所述第二P型阱区单元下方进行场区离子注入，所述第一P型阱区单元位于相邻两个N型阱区之间； 同时形成位于所述存储区域的第一隔离区域以及位于所述驱动区域的第二隔离区域，其中所述第一隔离区域位于所述N型阱区与所述第一P型阱区单元的接触区域，且所述第一隔离区域的下边缘与所述深N型阱区之间存在间隔，所述第二隔离区域为在所述第二P型阱区单元的位置形成； 在所述第一P型阱区单元的上表面形成存储单元，以获得存储单元阵列； 在所述第二隔离区域之间形成源极、漏极以及栅极，以获得所述高压型CMOS晶体管； 在所述存储区域的每相邻两个N型阱区之间以及所述驱动区域的硅衬底基板上基于同一掩模板形成位于所述存储区域的第一P型阱区单元、位于所述驱动区域的间隔设置的第二P型阱区单元以及在所述第二P型阱区单元下方进行场区离子注入，包括： 在所述存储区域的每相邻两个N型阱区之间以及所述驱动区域的硅衬底基板上基于同一掩模板进行P型离子注入，形成位于所述存储区域的第一P型阱区单元以及位于所述驱动区域的间隔设置的第二P型阱区单元； 基于同一掩模板在所述第二P型阱区单元的下方进行场区离子注入。

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