清华大学郭宝华获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利具有错位有序微/纳阻隔层结构的高阻隔薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120904493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511038689.1，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权具有错位有序微/纳阻隔层结构的高阻隔薄膜及其制备方法是由郭宝华;王亚桥;徐军;张伟;郑文强;靳晓刚设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有错位有序微/纳阻隔层结构的高阻隔薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有错位有序微纳阻隔层结构的高阻隔薄膜及其制备方法。该制备方法包括：使聚对苯二甲酸己二酸丁二醇酯、3‑羟基丁酸‑3‑羟基戊酸共聚物、非极性长链烷基胺改性的无机纳米片进行熔融共混，得到复合材料；使复合材料进行吹膜，得到薄膜。本发明由此得到的薄膜具有优异的水蒸气阻隔性能。
本发明授权具有错位有序微/纳阻隔层结构的高阻隔薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有错位有序微纳阻隔层结构的高阻隔薄膜的制备方法，其中，包括以下步骤： 使聚对苯二甲酸己二酸丁二醇酯、聚3-羟基丁酸酯-co-3-羟基戊酸酯、非极性长链烷基胺改性的无机纳米片进行熔融共混，得到复合材料； 使所述复合材料进行吹膜，得到薄膜； 其中，所述聚对苯二甲酸己二酸丁二醇酯、所述聚3-羟基丁酸酯-co-3-羟基戊酸酯、所述非极性长链烷基胺改性的无机纳米片的重量比为100：20~80：4~10； 所述非极性长链烷基胺选自十六烷基三甲基溴化铵和或双-十六烷基二甲基溴化铵； 所述吹膜的机头温度为160~180℃，所述吹膜的牵伸比为5~9、吹涨比为4~5。
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