沈阳冠泽新材料科技发展有限公司王长明获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳冠泽新材料科技发展有限公司申请的专利一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120943644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511179898.8，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法是由王长明;闫海;王磊设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域，方法包括以下步骤：将碳化硅粉体与烧结助剂混合，所述烧结助剂由Al2O3、Y2O3和B4C组成，按质量百分比计：Al2O3含量为0.5‑5.0wt％，Y2O3含量为1.0‑6.0wt％，B4C含量为0.3‑2.0wt％，余量为碳化硅；在流动惰性气氛中进行阶梯烧结：第一阶段于1400‑1500℃保温0.5‑2h，第二阶段于1750‑1800℃保温1‑3h，第三阶段于1820‑1880℃保温0.2‑1h。本发明能有效解决现有技术中碳化硅陶瓷烧结温度高、能耗大、高温性能欠佳、断裂韧性不足的技术问题。
本发明授权一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高韧性抗冲击无压烧结碳化硅陶瓷制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤A：将碳化硅粉体与烧结助剂混合，所述烧结助剂由Al2O3、Y2O3和B4C组成，按质量百分比计：Al2O3含量为0.5-5.0wt%，Y2O3含量为1.0-6.0wt%，B4C含量为0.3-2.0wt%，余量为碳化硅；所述B4C的粒径≤1μm； 步骤B：在流动氩气氛中进行阶梯烧结；氩气流量为30-100mLmin； 第一阶段于1400-1500℃保温0.5-2h； 第二阶段于1750-1800℃保温1-3h； 第三阶段于1820-1880℃保温0.2-1h； 所述碳化硅粉体为α-SiC，纯度≥95wt%，中位粒径D50为0.3-1.0μm； 在阶梯烧结第一阶段，通过实时监测CO生成浓度动态调节氩气流速，调节范围为初始设定值的±30%，当CO浓度2vol%时，氩气流速降低10%-20%，避免反应气体停留时间过长导致局部杂质积累。
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