巨力精密设备制造(东莞)有限公司张明明获国家专利权
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龙图腾网获悉巨力精密设备制造(东莞)有限公司申请的专利一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120989594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511150477.2,技术领域涉及:C23C16/52;该发明授权一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法是由张明明;邓将;肖忠诚设计研发完成,并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体制造加工技术领域,具体涉及一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法,包括以下制备步骤:S1、使用清洗剂对真空铝腔体进行清洗;S2、将清洗后的真空铝腔体置于强氧化剂溶液中;S3、将磨料喷射至真空铝腔体表面进行抛光处理,得到粗磨真空铝腔体;S4、将粗磨真空铝腔体置高锰酸钾混合溶液中;S5、将磨料喷射至真空铝腔体表面进行抛光处理,得到细磨真空铝腔体;S6、将细磨真空铝腔体浸泡于硅烷混合液中;S7、通过化学气相沉积方法在硅烷化细磨真空铝腔体表面氮化铝,本申请减少了不必要的工序,降低了对操作人员技术水平和设备精度的严格要求,使整个方法流程更加简洁,制备周期大幅缩短,提高了整个表面处理方法的稳定性和可靠性。
本发明授权一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体设备真空铝腔体表面处理方法,其特征在于,包括以下制备步骤: S1、使用清洗剂对真空铝腔体进行清洗,晾干,得到清洗后的真空铝腔体; S2、将清洗后的真空铝腔体置于强氧化剂溶液中,浸泡一段时间,所述强氧化剂溶液由硫代硫酸钠15-20gL、硫酸镁15-20gL、硫脲0.5-2gL、次亚磷酸钠10-20gL和磷酸钠4-9gL组成; S3、选取微米级磨料和溶剂混合,得到磨料,再将磨料均匀喷射至干净的真空铝腔体表面进行抛光处理,淋洗,得到粗磨真空铝腔体; S4、将粗磨真空铝腔体置高锰酸钾混合溶液中,浸泡一段时间,所述高锰酸钾混合溶液由高锰酸钾10-15gL,硫酸锌2-5gL,氢氧化钠3-5gL,氯化铝2-6gL和十二烷基硫酸钠0.5-1.5gL组成; S5、选取纳米级磨料和溶剂混合,得到磨料,再将磨料均匀喷射至干净的真空铝腔体表面进行抛光处理,淋洗,得到细磨真空铝腔体; S6、将细磨真空铝腔体浸泡于硅烷混合液中,取出,得到硅烷化细磨真空铝腔体; S7、采用化学气相沉积方法,将硅烷化细磨真空铝腔体将铝腔体置于CVD反应室中,调节真空度为100-500Pa,然后通入TMA和NH3,设定沉积温度在800-1000℃,在其表面镀一层氮化铝镀层,再对镀层进行退火处理,得到半导体设备真空铝腔体; 所述硅烷混合液由乙烯基三甲氧基硅烷偶联剂、γ-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷和有机溶剂按照重量比为0.5-1:2-3:3-6:20混合均匀得到。
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