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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120998877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511502340.9，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由崔立加;徐华超;王梦晴设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供半导体初始结构；于半导体初始结构内形成沟槽，其中，沟槽贯穿外延层；于沟槽底部的第一绝缘层内形成第一通孔，其中，第一通孔与沟槽相连通，第一通孔贯穿至第一金属层；于沟槽、第一通孔和第二绝缘层远离第一金属层的一侧形成导电层，其中，导电层通过第一通孔与第一金属层相连接；于沟槽底部的导电层内形成第二通孔，以断开导电层，形成第一导电结构和第二导电结构，其中，第二通孔朝向第一金属层的正投影位于第一通孔朝向第一金属层的正投影与第一侧壁朝向第一金属层的正投影之间。采用该方法可以简化半导体器件的制备流程，降低制备难度，提高制备效率。

本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体初始结构，其中，所述半导体初始结构包括第一金属层、第一绝缘层、外延层、介质层和第二绝缘层，在所述外延层的厚度方向上，所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述外延层、所述介质层和所述第二绝缘层依次叠层设置； 于所述半导体初始结构内形成暴露所述第一绝缘层的部分顶面的沟槽；所述沟槽朝向所述第一金属层的正投影包括环形； 于所述沟槽底部的所述第一绝缘层内形成第一通孔，其中，所述第一通孔与所述沟槽相连通，所述第一通孔贯穿至所述第一金属层； 于所述沟槽、所述第一通孔和所述第二绝缘层远离所述第一金属层的一侧形成导电层，其中，所述导电层通过所述第一通孔与所述第一金属层相连接； 于环形的所述沟槽底部的所述导电层内形成环形的第二通孔，以断开所述导电层，形成与所述外延层电连接以接地的第一导电结构和与所述第一导电结构断开的第二导电结构，其中，所述第一导电结构包括位于所述沟槽的第一侧壁表面的所述导电层，所述第二导电结构包括位于所述第一通孔内的所述导电层和位于所述沟槽的第二侧壁表面的所述导电层，所述第二通孔朝向所述第一金属层的正投影位于所述第一通孔朝向所述第一金属层的正投影与所述第一侧壁朝向所述第一金属层的正投影之间。

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