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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利一种高熵碳化物陶瓷(TiVZrW)C粉末、涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121021151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511569672.9，技术领域涉及：C04B35/56；该发明授权一种高熵碳化物陶瓷(TiVZrW)C粉末、涂层及其制备方法是由张世宏;吴旺朋;杨阳设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵碳化物陶瓷(TiVZrW)C粉末、涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及高熵陶瓷粉体材料技术领域，具体涉及一种高熵碳化物陶瓷TiVZrWC粉末、涂层及其制备方法，首先通过行星球磨将金属氧化物TiO2粉体、V2O5粉体、ZrO2粉体、WO3粉体和碳黑粉体进行球磨混合，随后将混合均匀的粉末在管式炉中进行碳热还原反应，得到熟料粉体，最后进行喷雾造粒，通过等离子喷涂技术得到强结合强度高熵碳化物陶瓷耐磨涂层；解决了目前缺少制备高熵碳化物陶瓷涂层的方法，导致高熵碳化物陶瓷在表面技术领域的应用受到了比较大的限制的问题。

本发明授权一种高熵碳化物陶瓷(TiVZrW)C粉末、涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵碳化物陶瓷TiVZrWC粉末的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将TiO2粉体、V2O5粉体、ZrO2粉体、WO3粉体和碳黑粉体混合； S2，将步骤S1中得到的混合后的粉末原料装入氧化锆球磨罐，加入无水乙醇和氧化锆球，进行球磨； S3，将步骤S2中球磨混合得到的浆料置于70℃干燥箱中，充分干燥，研磨过筛； S4，将步骤S3中研磨后的粉末装入石墨坩埚中，置于管式炉中，进行碳热还原反应，整个反应的过程中持续通入保护气体，得到熟料粉体； S5，将步骤S4中得到的熟料粉体、PVA溶液、正辛醇、去离子水混合获得造粒前浆料，利用高速离心喷雾干燥机进行喷雾造粒处理，最终收集得到的粉末即为高熵碳化物陶瓷TiVZrWC粉末； 所述步骤S1中，TiO2粉体、V2O5粉体、ZrO2粉体、WO3粉体和碳黑粉体的摩尔比为2∶1∶2∶2∶27，TiO2粉体、V2O5粉体、ZrO2粉体、WO3粉体和碳黑粉体的粒径均为1~4μm，纯度均≥99.95%； 所述步骤S2中，球磨时的球料比为10∶1，以200~250rmin的转速球磨混合12~16h； 所述步骤S4中，碳热还原反应的反应温度为1600℃，反应时间为2~4h。

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