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龙图腾网获悉上海乐瓦微电子科技有限公司申请的专利一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511554052.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法是由邹兆一;李学会设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，包括循环执行以下步骤：低温物理吸附步骤，通过将器件降温并引入物理钝化气体，在多晶硅栅及沟道结构的暴露表面形成一层物理吸附层；共振解离刻蚀步骤，在化学惰性前驱体气体环境下，发射与前驱体气体中特定化学键共振解离频率相匹配的频率锁定能量脉冲，在气相中选择性地将前驱体分解为刻蚀自由基，对所述多晶硅栅顶部进行刻蚀；低能清洁步骤，发射低能量惰性离子束清除刻蚀副产物。通过无等离子体的共振解离方式生成中性刻蚀自由基，避免了对栅极氧化层和沟道结构的损伤，最终能够制备出具有垂直侧墙、无底部凸角且界面损伤小的多晶硅栅结构。

本发明授权一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，其特征在于，包括以下循环执行的步骤： S1、低温物理吸附步骤：将置于工艺腔室内的所述SGT结构MOS器件的温度降低至一预设低温，并向其表面引入物理钝化气体，以在多晶硅栅及沟道结构的暴露表面形成一层物理吸附层； S2、共振解离刻蚀步骤：在所述工艺腔室内存在化学惰性前驱体气体的环境下，向所述多晶硅栅的顶部表面发射频率锁定能量脉冲，所述频率锁定能量脉冲的频率，匹配于所述化学惰性前驱体气体分子中一个预设化学键的共振解离频率；所述预设化学键为断裂后能够释放出含刻蚀元素的自由基的化学键；通过该频率匹配，能量被该预设化学键优先吸收，从而实现前驱体气体的分解，并利用刻蚀自由基对所述多晶硅栅进行刻蚀；所述低温物理吸附步骤S1中形成的所述物理吸附层，在所述共振解离刻蚀步骤S2中覆盖并保护所述多晶硅栅的侧壁，使得所述刻蚀自由基仅与未被所述物理吸附层覆盖的所述多晶硅栅顶部发生反应，从而实现各向异性刻蚀； S3、低能清洁步骤：向所述多晶硅栅的刻蚀表面发射低能量惰性离子束，以清除刻蚀产生的副产物； S4、将上述步骤S1至S3作为完整的刻蚀循环，重复执行该刻蚀循环，直至通过在线光学发射光谱仪监测到刻蚀终点。

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