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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121054477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511526628.X，技术领域涉及：H10P30/22；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由张思雨;方欣欣;孙冰朔;王子龙;郭峰旗设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底中形成有至少一个浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构定义出有源区；对衬底执行第一离子注入工艺，以在有源区中形成阱区；在衬底上形成图案化的掩膜层，图案化的掩膜层定义出至少一个注入窗口，每个注入窗口暴露出阱区上方的部分衬底表面；以图案化的掩膜层为掩膜，通过注入窗口对衬底执行第二离子注入工艺，以在有源区中形成阈值电压调节区，其中阈值电压调节区在衬底中的深度小于阱区在衬底中的深度；去除图案化的掩膜层。本申请能够灵活调节器件的阈值电压，无需额外复杂工艺，即可实现对不同类型器件的阈值电压的协同优化，改善阈值电压随沟道尺寸变化的波动趋势。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底，在所述衬底中形成有至少一个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构定义出有源区； 对所述衬底执行第一离子注入工艺，以在所述有源区中形成阱区； 在所述衬底上形成图案化的掩膜层，所述图案化的掩膜层定义出至少一个注入窗口，每个所述注入窗口暴露出所述阱区上方的部分衬底表面，其中，所述衬底包括第一MOS器件区和第二MOS器件区，所述第一MOS器件区用于形成长沟道MOS器件，所述第二MOS器件区用于形成短沟道MOS器件，所述图案化的掩膜层形成在第一MOS器件区的衬底上，所述注入窗口暴露出所述第一MOS器件区的阱区上方的部分衬底表面； 以所述图案化的掩膜层为掩膜，通过所述注入窗口对所述第一MOS器件区的衬底执行第二离子注入工艺，以及对所述第二MOS器件区的衬底执行所述第二离子注入工艺，以分别在所述第一MOS器件区和所述第二MOS器件区的有源区中形成阈值电压调节区，其中，所述阈值电压调节区在所述衬底中的深度小于所述阱区在所述衬底中的深度，所述第一MOS器件区的阈值电压调节区中杂质掺杂浓度低于所述第二MOS器件区的阈值电压调节区中杂质掺杂浓度； 去除所述图案化的掩膜层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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