苏州博志金钻科技有限责任公司靳世旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州博志金钻科技有限责任公司申请的专利高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121075922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511577694.X，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用是由靳世旭;潘远志;赵竞飞设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用，其中，制备工艺，包括：步骤S100、于基材第一侧进行微弧氧化处理以形成第一绝缘层；步骤S200、将基材浸渍于封孔液中，进行低温封孔处理形成致密封孔层；步骤S300、采用磁控溅射方法和或原子层沉积方法于基材第一侧形成第二绝缘层；步骤S400、于基材第二侧成型微散热结构后得到封装基板。本发明能够在基材第一侧形成绝缘层，有效提高绝缘性，且可以解决布线平整问题，能够作为基面布线封装器件；而在基材的第二侧成型微散热结构能够有效的增加比表面积，大大增加了基材的散热效率，实现正面高绝缘‑背面高散热的双功能集成，满足高功率芯片的封装及散热需求。
本发明授权高导热扇出型封装基板、制备工艺及其应用在权利要求书中公布了：1.一种高导热扇出型封装基板的制备工艺，其特征在于，包括： 步骤S100、于基材第一侧进行微弧氧化处理以形成第一绝缘层； 步骤S200、将基材浸渍于封孔液中，于40-60℃温度条件下进行低温封孔处理形成致密封孔层； 步骤S300、采用磁控溅射方法和或原子层沉积方法于基材第一侧形成第二绝缘层； 步骤S400、于基材第二侧成型微散热结构后得到封装基板； 所述步骤S200中，封孔液包括：5-10wt%的硅烷偶联剂、1-3wt%的纳米二氧化硅、0.1-0.5wt%的氟碳表面活性剂和溶剂，所述溶剂为体积比为1:1的乙醇水混合液； 所述步骤S200具体包括： 步骤S201、将基材于40-60℃温度条件下浸渍于封孔液中5-10min，并控制真空压力≤10⁻²Pa进行真空辅助浸渍； 步骤S202、于120-150℃下烘烤30-60min形成致密封孔层，控制孔隙率≤2%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州博志金钻科技有限责任公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励