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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511622769.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件是由任娜;吴九鹏;陆心悦设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：半导体材料层；栅极沟槽和栅极结构，栅极沟槽从半导体材料层的顶表面延伸至半导体材料层中；栅极结构位于栅极沟槽中；源极区，源极区位于相邻的栅极沟槽之间；源极区包括阱区和位于阱区上方的源极接触区；防穿通结构，防穿通结构位于阱区中，且防穿通结构的掺杂浓度大于阱区的掺杂浓度；第一电场屏蔽结构，位于相邻的栅极沟槽之间；其中，第一电场屏蔽结构的深度大于栅极沟槽的深度。本发明通过设置具有较大掺杂浓度的防穿通结构和第一电场屏蔽结构，可以显著提升器件在短沟道情况下承受阻断电压的能力，提高栅氧可靠性，进而可以提高器件长期工作的稳定性和可靠性。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 半导体材料层； 栅极沟槽和栅极结构，所述栅极沟槽从所述半导体材料层的顶表面延伸至所述半导体材料层中，所述栅极沟槽沿第一方向延伸，且沿第二方向间隔排布；其中，所述第一方向垂直所述第二方向；所述栅极结构位于所述栅极沟槽中； 源极区，所述源极区位于相邻的所述栅极沟槽之间，所述源极区包括沿所述第一方向间隔设置的多个第一子区；所述源极区还包括多个第二子区，所述第二子区连接沿所述第一方向间隔设置的两个所述第一子区；所述源极区包括阱区和位于所述阱区上方的源极接触区； 防穿通结构，所述防穿通结构位于所述阱区中，且所述防穿通结构的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度； 第一电场屏蔽结构，位于相邻的所述栅极沟槽之间，且沿所述第一方向间隔设置于相邻的所述第一子区之间；所述第一电场屏蔽结构沿所述第二方向相对的两侧均设置有所述第二子区，且所述第二子区位于所述栅极沟槽和所述第一电场屏蔽结构之间；其中，所述第一电场屏蔽结构在所述半导体材料层中的深度大于所述栅极沟槽在所述半导体材料层中的深度。

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