芯联集成电路制造股份有限公司魏翔获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种绝缘体上硅衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511606930.6，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种绝缘体上硅衬底及其制备方法是由魏翔;王琛设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种绝缘体上硅衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面形成绝缘层和位于绝缘层中的至少一个导热结构，每个导热结构包括至少一层第一绝缘导热层和至少一层第二绝缘导热层，其中，第一绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率，第二绝缘导热层的热导率大于绝缘层的热导率；将第一衬底和第二衬底进行键合，绝缘层和导热结构位于键合后的第一衬底和第二衬底之间；对第二衬底进行剥离以去除部分第二衬底，剩余的第二衬底作为顶层半导体层，第一衬底作为绝缘体上硅衬底的基底层。本申请在绝缘层中嵌入导热结构，将顶层半导体层的热量传导至基底层，提高绝缘体上硅衬底的散热性能。
本发明授权一种绝缘体上硅衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅衬底的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底和第二衬底； 所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个衬底的表面形成绝缘层和位于所述绝缘层中的至少一个导热结构，每个所述导热结构包括至少一层第一绝缘导热层和至少一层第二绝缘导热层，所述第一绝缘导热层和所述第二绝缘导热层为不同的导热材料，所述第一绝缘导热层的材料或者所述第二绝缘导热层的材料为氮化硼，其中，所述第一绝缘导热层的热导率大于所述绝缘层的热导率，所述第二绝缘导热层的热导率大于所述绝缘层的热导率； 将所述第一衬底和所述第二衬底进行键合，所述绝缘层和所述导热结构位于键合后的所述第一衬底和所述第二衬底之间； 对所述第二衬底进行剥离以去除部分所述第二衬底，剩余的所述第二衬底作为顶层半导体层，所述第一衬底作为所述绝缘体上硅衬底的基底层。
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