荣芯半导体(宁波)有限公司肖莉红获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511556255.0，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由肖莉红设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区；形成在所述半导体衬底上的栅极，所述栅极设置在所述源区与所述漏区之间，并且所述栅极沿第二方向延伸；形成在所述半导体衬底上的与所述漏区电连接的电阻层，所述电阻层包括交替排列的凸起部和凹陷部，所述凸起部的顶部高于所述凹陷部的顶部，静电释放电流通过所述电阻层注入所述漏区，由所述源区流出。本发明能够有效延长大电流的泄放通路的长度，在提高ESD自保护能力的同时，提高半导体器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 半导体衬底； 形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区； 形成在所述半导体衬底上的栅极，所述栅极设置在所述源区与所述漏区之间，并且所述栅极沿第二方向延伸； 形成在所述半导体衬底上的与所述漏区电连接的电阻层，所述电阻层包括交替排列的凸起部和凹陷部，所述凸起部的顶部高于所述凹陷部的顶部，静电释放电流通过所述电阻层注入所述漏区，由所述源区流出，所述电阻层包括在所述第一方向上间隔排列的多个介质层以及形成在所述介质层上的镇流层，所述凸起部位于所述介质层上方，所述凹陷部位于相邻所述介质层之间。
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