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龙图腾网获悉厦门宇电自动化科技有限公司申请的专利用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121087466B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511642922.7，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统是由周宇设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统，涉及温度控制技术领域，该方法在完成薄膜沉积后，采集并分析基底与薄膜的热动力学特征，确定并优化初始降温约束条件；其次，生成自适应的降温过渡曲线，指导CVD设备实现精准温度控制，并实时监测异常状态；最后，基于监测数据动态优化控制策略，确保温度平稳过渡至目标值。该方法不仅提升温度控制的稳定性与响应灵敏度，降低界面热应力突变风险，还可增强薄膜层间附着力、一致性与致密性，提高产品良率与工艺兼容性，显著改善多层膜结构的整体可靠性。

本发明授权用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤一、使用CVD化学气相沉积设备对基底进行薄膜沉积处理，沉积处理完成后，得到基底-薄膜复合物，分别分析基底与薄膜的热动力学特征，从而确定基底-薄膜复合物的初始降温约束条件，采集并分析薄膜沉积处理过程中的温度参数，对基底-薄膜复合物的初始降温约束条件进行优化，从而得到基底-薄膜复合物的降温约束条件，所述初始降温约束条件，包括临界降温速率以及临界降温速率变化率； 步骤二、基于降温约束条件，生成基底-薄膜复合物的降温过渡曲线，CVD化学气相沉积设备基于降温过渡曲线对基底-薄膜复合物的降温过程进行温度控制，监控基底-薄膜复合物在降温过程中的异常状态； 步骤三、采集并分析基底-薄膜复合物在降温过程中的若干物理检测点对应的各中心坐标，当监测到有效中心偏移时，基于偏移总量与上升速率判断是否触发分阶段预警，并实时调节临界降温速率与变化率，从而对基底-薄膜复合物的温度控制进行优化，直至基底-薄膜复合物的温度降低至目标温度； 所述监控基底-薄膜复合物在降温过程中的异常状态，具体指监控基底-薄膜复合物在匀速升高降温速率阶、保持降温速率阶段以及匀速减缓降温速率阶段中的异常状态，采集并分析基底-薄膜复合物在降温过程中的若干物理检测点对应的各中心坐标，对基底-薄膜复合物的温度进行优化，从而判断是否对基底-薄膜复合物的降温过程进行预警； 基底-薄膜复合物的降温过渡曲线包括匀速升高降温速率阶段、保持降温速率阶段以及匀速减缓降温速率阶段，其中，匀速升高降温速率阶段，指基于基底-薄膜复合物的临界降温速率变化率增大基底-薄膜复合物的降温速率，直至基底-薄膜复合物的降温速率升高至临界降温速率； 保持降温速率阶段，指基于基底-薄膜复合物的临界降温速率对基底-薄膜复合物进行降温； 匀速减缓降温速率阶段，指基于基底-薄膜复合物的临界降温速率变化率匀速减小基底-薄膜复合物的降温速率，直至基底-薄膜复合物的降温速率降低至目标降温速率，并以目标降温速率对基底-薄膜复合物进行降温，直至基底-薄膜复合物到达预设目标温度。

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