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龙图腾网获悉厦门宇电自动化科技有限公司申请的专利用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121087467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511642925.0，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统是由周宇设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统，属于温度控制技术领域，包括：获取MOCVD设备的反应室壁温辐射干扰判定指数，进行反应室壁温辐射干扰分析，判定反应室内壁辐射的慢耦合增热存在性，在存在反应室内壁辐射的慢耦合增热时，基于边缘幕帘气占比执行慢耦合增热的对冲调节，在执行对冲调节后，分析慢耦合增热的温控补偿效应，在判定温控补偿引入温度非一致性时，执行边缘幕帘气占比的自适应回落。本发明能够精准判定反应室内壁辐射的慢耦合增热现象，结合边缘幕帘气占比的动态对冲调节与自适应回落，实现温度场的稳定控制和均匀补偿，降低温控补偿引起的温度非一致性风险，提升反应过程的温度均匀性和工艺稳定性。

本发明授权用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.用于MOCVD设备的智能温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，以预设监控周期监控并获取反应室加热器功率变化率和反应室衬底温度变化率，基于反应室加热器功率变化率构建指示函数，结合反应室衬底温度变化率得到MOCVD设备的反应室壁温辐射干扰判定指数； 进行反应室壁温辐射干扰分析，具体为：通过辐射驱动分配因子将MOCVD设备的反应室壁温辐射干扰判定指数、反应室内壁沉积累积持续时间、反应室平均加热功率和反应室衬底温差变化率与对应参考值进行对比处理的结果进行加权耦合处理，从而得到反应室壁温辐射驱动指数； 并基于反应室壁温辐射驱动指数判定反应室内壁辐射的慢耦合增热存在性，以实现对反应室内壁辐射的慢耦合增热的门限化触发； 步骤二，在存在反应室内壁辐射的慢耦合增热时，在保持腔压与前驱体分压恒定的约束下，基于边缘幕帘气占比执行慢耦合增热的对冲调节，所述幕帘气用于在反应室的边缘区域进行隔热与隔流，边缘幕帘气占比为在幕帘气配比中，分配给反应室边缘区域的幕帘气流量的所占比例，以此实现反应室内壁辐射的慢耦合增热的温控补偿； 步骤三，在执行慢耦合增热的对冲调节后，分析慢耦合增热的温控补偿效应，通过补偿效应分配因子将边缘实际温度变化率和中心-边缘温差变化率的正半轴算子分别与对应参考值进行对比处理的结果进行加权耦合处理，从而得到慢耦合增热的温控补偿效应表征因子； 基于慢耦合增热的温控补偿效应表征因子进行温控补偿引入温度非一致性判定，并在判定温控补偿引入温度非一致性时，执行边缘幕帘气占比的自适应回落，以实现MOCVD设备反应室温度场的自稳定调控。

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