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龙图腾网获悉广东仁懋电子有限公司申请的专利一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121090558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511591557.1，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法及系统是由仇亮;窦静设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法及系统，涉及无图形晶圆缺陷检测技术领域。一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测系统，包括有：风险分布识别模块、扫描路径生成模块、检测数据获取模块、缺陷检测模块和缺陷分析模块。本发明通过引入缺陷风险评估模型，利用历史检测数据与样品检测数据生成风险分布热图和检测轮次信息，实现了对器件风险区域的精确标定与检测轮次的动态控制；通过构建历史检测通道与样品检测通道，分别提取长期风险指标和拟合型区域风险指标，并将二者融合为综合风险概率分布，兼顾批量统计规律与当前样品特征。

本发明授权一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOS器件表面缺陷快速检测方法，其特征在于，包括： 获取器件的历史检测数据或样品检测数据，输入至缺陷风险评估模型中，得到检测轮次信息和风险分布热图；所述风险分布热图包括风险区域及对应的风险等级；所述检测轮次信息包括轮次参数和轮次更新参数，轮次参数用于将连续的器件划分检测轮次组； 基于轮次参数和风险分布热图，生成自适应扫描路径；所述自适应扫描路径对检测轮次组中低于设定风险等级的风险区域执行分区间隔式检测策略； 将待检测的器件定位于运动平台上，依据自适应扫描路径控制平台运动和激光照射，激发与缺陷相关的散射信号并接收，获取单个器件的散射数据；将每个检测轮次组所有器件的散射数据选择性合并为联合检测数据； 对散射数据与联合检测数据分别进行预处理及特征提取，获取多维表面缺陷数据；将多维表面缺陷数据输入至缺陷识别模型中进行处理，得到带有风险区域标记的缺陷检测结果； 分析缺陷检测结果的缺陷密度与分布情况，对每个器件进行综合评分获取缺陷等级，输出对应的缺陷空间分布图，并更新检测轮次信息与风险分布热图。

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