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中国科学技术大学;合肥国家实验室曹刚获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学技术大学;合肥国家实验室申请的专利器件倒装焊封装方法和倒装焊器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121096884B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511633650.4,技术领域涉及:H10W74/01;该发明授权器件倒装焊封装方法和倒装焊器件是由曹刚;叶澍坤;李海欧;王保传;郭国平设计研发完成,并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

器件倒装焊封装方法和倒装焊器件在说明书摘要公布了:本发明提供了一种器件倒装焊封装方法和倒装焊器件,属于半导体器件封装技术领域。该器件倒装焊封装方法包括:提供沉积有第一片上金属的倒装芯片和沉积有第二片上金属的基板芯片,第一片上金属相背离倒装芯片一侧沉积有在空间上彼此隔离的互连金属阵列和第一限位器,第二片上金属相背离基板芯片一侧沉积有在空间上彼此隔离的焊料金属阵列和第二限位器;将倒装芯片翻转,与基板芯片对准,其中,通过将倒装芯片翻转,以使第一限位器嵌套在第二限位器内,通过外部修正实现互连金属阵列和焊料金属阵列对准;在还原性气体氛围下,对对准后的倒装芯片和基板芯片加热,使焊料金属熔融,实现互连金属阵列与焊料金属阵列的焊接,从而得到倒装焊器件。

本发明授权器件倒装焊封装方法和倒装焊器件在权利要求书中公布了:1.一种器件倒装焊封装方法,其特征在于,包括: 提供倒装芯片和基板芯片,其中所述倒装芯片的表面沉积有第一片上金属,所述第一片上金属相背离所述倒装芯片的一侧沉积有在空间上彼此隔离的互连金属阵列和第一限位器,所述基板芯片的表面沉积有第二片上金属,所述第二片上金属相背离所述基板芯片的一侧沉积有在空间上彼此隔离的焊料金属阵列和第二限位器; 将所述倒装芯片翻转,与所述基板芯片对准,其中,通过将所述倒装芯片翻转,以使所述第一限位器嵌套在所述第二限位器内,通过光学显微镜观察所述第一限位器和第二限位器的边缘,估计方向与角度偏差,并沿偏差方向的反方向对所述基板芯片施加动量,通过利用所述第一限位器和第二限位器之间的摩擦力和所述倒装芯片的惯性,使所述倒装芯片相对于所述基板芯片发生移动或旋转,实现所述互连金属阵列和焊料金属阵列对准; 在还原性气体氛围下,对对准后的所述倒装芯片和基板芯片加热,使焊料金属熔融,实现所述互连金属阵列与焊料金属阵列的焊接,从而得到倒装焊器件; 其中,所述第一限位器为棱柱结构; 所述第二限位器为侧面与底面相垂直的倒八字形柱状结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学;合肥国家实验室,其通讯地址为:230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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