合肥晶合集成电路股份有限公司朱会超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511625543.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱会超;刘文彬;蔡富吉设计研发完成，并于2025-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的一侧依次形成伪栅材料层和掩膜层，掩膜层包括第一掩膜部以及第二掩膜部；基于掩膜层图形化伪栅材料层，形成伪栅极结构，伪栅极结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构，第一伪栅结构基于第一掩膜部形成，第二伪栅结基于第二掩膜部形成，第一伪栅结构的宽度小于第二伪栅结构的宽度；于第二掩膜部内形成沟槽；于第一伪栅结构侧壁、第二伪栅结构侧壁以及沟槽侧壁形成第一侧墙；去除至少部分掩膜层，且去除沟槽以及位于沟槽侧壁的第一侧墙。通过在第二掩膜部内形成沟槽，从而使得第二掩膜部的形貌接近第一掩膜部。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底的一侧依次形成伪栅材料层和掩膜层，所述掩膜层包括第一掩膜部以及第二掩膜部； 基于所述掩膜层图形化所述伪栅材料层，形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括第一伪栅结构和第二伪栅结构，所述第一伪栅结构基于所述第一掩膜部形成，所述第二伪栅结构基于所述第二掩膜部形成，所述第一伪栅结构的宽度小于所述第二伪栅结构的宽度； 于所述第二掩膜部内形成沟槽； 于所述第一伪栅结构的侧壁、所述第二伪栅结构的侧壁以及所述沟槽的侧壁形成第一侧墙； 去除至少部分所述掩膜层，且去除所述沟槽以及位于沟槽侧壁的所述第一侧墙； 所述沟槽的深度小于所述第二掩膜部的厚度。
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