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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511635667.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由方晓宇;杨昱霖;郭育清;李万宝;郭宜婷设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开一种背照式图像传感器及其制备方法，所述方法包括：提供一晶圆键合结构；晶圆键合结构包括器件晶圆；对器件晶圆的背面进行共离子注入，然后进行化学机械平坦化使器件晶圆减薄至设定厚度，然后在器件晶圆的背面形成衬底氧化层；在衬底氧化层上沉积高介电常数层；进行退火处理。本发明在CMP前对器件晶圆的背面进行共离子注入以改变背面的抛光速率，可以使化学研磨更加平坦化；通过H2O2与损伤Si反应生成牺牲氧化层，并加入HF去除牺牲氧化层可以减小化学研磨后的EPI损伤程度，消除硅损伤的同时，界面处产生的SI‑H键可弥补缺陷；本发明在保证白点以及暗电流终端性能好的前提下，解决气泡问题，提升产品终端性能。

本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.背照式图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供一晶圆键合结构；晶圆键合结构包括器件晶圆； 对器件晶圆的背面进行共离子注入，然后进行化学机械平坦化使器件晶圆减薄至设定厚度，然后在器件晶圆的背面形成衬底氧化层； 在衬底氧化层上沉积高介电常数层； 进行退火处理； 所述对器件晶圆的背面进行共离子注入的步骤中，注入的离子为中性离子； 所述对器件晶圆的背面进行共离子注入的步骤中，所述背面由位于中心区域的内圈和位于内圈外周的外圈组成，内圈和外圈注入的剂量不同； 进行化学机械平坦化使器件晶圆减薄至设定厚度的步骤之后，氧化器件晶圆背面损伤的Si形成牺牲氧化层，去除牺牲氧化层，然后在器件晶圆的背面形成衬底氧化层； 所述氧化器件晶圆背面损伤的Si形成牺牲氧化层，去除牺牲氧化层的步骤，具体包括： 通过H2O2氧化器件晶圆背面损伤的Si形成牺牲氧化层，通过HF浸泡去除牺牲氧化层。

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