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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利一种MEMS传感器器件封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121107346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511298360.9，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种MEMS传感器器件封装结构是由刘梦涛;张永胜;卢新艳;李保岭;祝铭;许鹏设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS传感器器件封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS传感器器件封装结构，包括封装管壳、ASIC芯片以及MEMS芯片，封装管壳具有开口向上的容纳腔，封装管壳的上方连接有封盖，封盖用于封堵容纳腔；ASIC芯片设于容纳腔内，且与封装管壳电连接；MEMS芯片设于ASIC芯片的上方，且通过若干个连接柱与ASIC芯片电连接，连接柱沿上下方向贯穿ASIC芯片和MEMS芯片设置。本发明提供的一种MEMS传感器器件封装结构，通过将MEMS芯片和ASIC芯片形成上下堆叠的布局结构，有效降低了封装体积；通过连接柱的设置实现了ASIC芯片和MEMS芯片之间的电性连接以及机械固定，从根源上避免了胶水固化收缩及温度循环引发的应力传递，显著降低了MEMS芯片上的应力集中，提升了传感器器件封装结构的稳定性。

本发明授权一种MEMS传感器器件封装结构在权利要求书中公布了：1.一种MEMS传感器器件封装结构，其特征在于，包括： 封装管壳1，具有开口向上的容纳腔11，所述封装管壳1的上方连接有封盖12，所述封盖12用于封堵所述容纳腔11； ASIC芯片2，设于所述容纳腔11内，且与所述封装管壳1电连接； MEMS芯片3，设于所述ASIC芯片2的上方，且通过若干个连接柱4与所述ASIC芯片2电连接，所述连接柱4沿上下方向贯穿所述ASIC芯片2和所述MEMS芯片3设置； 所述连接柱4包括： 限位套筒41，贯穿所述ASIC芯片2和所述MEMS芯片3，并具有抵接于所述ASIC芯片2底面上的第一限位部411；以及 限位杆42，与所述限位套筒41插接配合，且具有抵接于所述MEMS芯片3上表面的第二限位部421； 其中，所述限位套筒41和所述限位杆42之间设有防脱单元，所述防脱单元用于锁定所述限位套筒41和所述限位杆42的轴向位置，以使所述MEMS芯片3和所述ASIC芯片2相连； 所述防脱单元包括： 多个防脱齿412，沿所述限位套筒41的轴向间隔设于所述限位套筒41的内周壁上，所述防脱齿412的下齿面沿所述限位套筒41的径向水平设置，所述防脱齿412的上齿面自所述限位套筒41的轴心至外周逐渐向上倾斜设置； 卡接件422，铰接于所述限位杆42的外周，具有能够抵接于所述防脱齿412下齿面的卡接部4221；以及 弹性件423，连接于所述卡接件422和所述限位杆42之间，被配置有使所述卡接部4221远离所述限位杆42的预紧力。

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