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龙图腾网获悉亿威盛半导体科技(上海)有限公司申请的专利一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121118695B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511650944.8，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法是由丁双伟设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体器件损伤预测技术领域，具体提供一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法，包括：步骤S1，采集碳化硅材料在高压击穿过程中电弧放电的时序数据和同步光谱数据，并进行预处理；步骤S2，采用时空卷积神经网络对电弧演化过程进行建模，重建电弧三维空间路径和能量分布；步骤S3，将时空电弧特征与损伤标定数据关联建模，训练得到损伤预测模型；步骤S4，获取碳化硅材料在高压击穿过程中电弧放电的时序数据和同步光谱数据，将得到的时空电弧特征输入损伤预测模型，输出碳化硅材料的损伤预测结果。本发明通过将电弧时空特征与实际损伤数据建立非线性映射，实现对晶圆表面烧蚀、裂纹形成与导电性衰退等损伤指标的预测。

本发明授权一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅材料高压击穿电弧三维重建与损伤预测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤S1，采集碳化硅材料在高压击穿过程中电弧放电的时序数据和同步光谱数据，对所述时序数据和同步光谱数据进行预处理得到预处理数据，将所述预处理数据编码得到多通道输入张量； 步骤S2，基于所述多通道输入张量，采用时空卷积神经网络对电弧的演化过程进行建模，通过编码器提取所述多通道输入张量的时空特征，通过解码器重建电弧三维空间路径和能量分布； 步骤S3，利用注意力机制对所述电弧三维空间路径和能量分布进行特征强化，并提取时空电弧特征，将所述时空电弧特征与所述碳化硅材料在高压击穿实验中的损伤标定数据关联建模，构建非线性映射模型并训练得到损伤预测模型； 步骤S4，获取碳化硅材料在高压击穿过程中电弧放电的时序数据和同步光谱数据，将所述时序数据和同步光谱信号进行所述步骤S1-S3处理，将得到的时空电弧特征输入所述损伤预测模型，输出所述碳化硅材料的损伤预测结果； 其中，所述步骤S2具体包括： 步骤S2.1，将所述多通道输入张量输入时空卷积神经网络的编码器，采用带步幅的三维卷积提取多通道输入张量的局部时空特征； 步骤S2.2，将所述编码器输出的特征输入瓶颈层，通过三维卷积提取电弧在全局时空上的连续性特征； 步骤S2.3，采用双分支解码器对瓶颈层提取的特征进行采样重建： S2.31：一分支通过三维反卷积层和Sigmoid激活函数输出各体素在时间帧、空间位置，索引上的三维体素化路径概率； S2.32：另一分支通过两步反卷积操作和激活函数输出三维体素能量分布；将解码器第二步反卷积得到的特征张量输入到一个三维反卷积层，得到每个体素在时间帧、空间位置，索引上的预测不确定度的对数值； S2.33：引入物理一致性约束： ， 其中，为指示函数，为能量阈值，为参与计算的总体积体素数量； 步骤S2.4，定义综合损失函数： ， 其中，表示为能量重建损失，为总变差损失，为路径二分类损失，为不确定性损失，，，，，分别为损失权重系数； 时空卷积神经网络模型输出三维体素化路径概率、三维体素能量分布和不确定度分布。

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