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龙图腾网获悉楚赟精工科技(上海)有限公司申请的专利半导体制造设备和基座温场校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511282126.7，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体制造设备和基座温场校正方法是由王明辉;刘雷;王东兴;邢志刚设计研发完成，并于2025-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体制造设备和基座温场校正方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体制造设备和基座温场校正方法，通过增设加热升降装置，在执行生长工艺的过程中同步获取并根据各所述基片的当前表面温度和目标设定温度得到各所述基片的当前温差，根据各所述当前温差和所述第一标定关系确定温度异常的目标基片、所述目标基片所对应的目标间距变化量以及预定调整方向；而后根据所述目标基片的个数、位置控制所述加热升降装置进行升降调整，以使得所述加热装置的至少部分区域按所述预定调整方向或所述预定调整方向的反方向运动所述目标间距变化量，以改善所述目标基片的温度异常现象。从而，能够实时校正基座表面温场均匀性，而且不会干扰正常工艺进程。

本发明授权半导体制造设备和基座温场校正方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备的基座温场校正方法，其特征在于，所述半导体制造设备包括：腔室，设于所述腔室内的基座，设于所述基座下方的加热装置，用于驱动所述基座旋转的旋转装置，用于带动所述旋转装置和所述基座升降的基座升降装置，以及用于带动所述加热装置升降的加热升降装置； 所述基座温场校正方法包括： S0：获取不同设定温度下，所述基座的温差与所述加热装置和所述基座之间的间距变化量的第一标定关系； S1：将各基片放置于所述基座上，控制所述基座升降装置运动使得所述基座位于工作位置后，控制所述旋转装置带动所述基座旋转以执行半导体材料层的生长工艺流程； 步骤S1执行所述生长工艺流程的过程中，还包括执行以下步骤： S11：获取并根据各所述基片的当前表面温度和目标设定温度得到各所述基片的当前温差，根据各所述当前温差和所述第一标定关系确定温度异常的目标基片、所述目标基片所对应的目标间距变化量以及预定调整方向； S12：根据所述目标基片的个数、位置控制所述加热升降装置进行升降调整，以使得所述加热装置的至少部分区域按所述预定调整方向或所述预定调整方向的反方向运动所述目标间距变化量，以改善所述目标基片的温度异常现象。

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