北京航空航天大学杨光获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121127118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511648649.9，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法是由杨光;李佳旭设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法。本发明的磁性超导存储器，超导层利用超导态与正常态之间的电阻差异映射磁化状态；铁磁层作为可调节磁化的自由层，通过磁化方向影响超导层的超导临界电流的大小；重金属层通过自旋霍尔效应产生自旋轨道力矩，驱动铁磁层磁化翻转；本发明通过超导二极管磁阻效应实现超导态与正常态之间的无限开关比，结合电流驱动的自旋轨道力矩磁化翻转技术，实现了高效、高可靠性的非易失性存储方案，彻底克服了传统TMR的固有缺陷，显著提升存储单元的信号对比度；本发明设计的异质结构，替代传统磁性隧道结，降低材料堆叠与工艺复杂度，采用与CMOS工艺兼容的材料，促进低温存储器的规模化集成。
本发明授权一种磁性超导存储器及其制备方法、读写方法在权利要求书中公布了：1.一种磁性超导存储器的读写方法，所述磁性超导存储器包括：衬底；位于所述衬底表面的重金属层；位于所述重金属层远离所述衬底表面的铁磁层；位于所述铁磁层远离所述衬底表面的超导层；其中，所述重金属层通过自旋霍尔效应产生自旋轨道力矩，驱动铁磁层磁化方向的可逆切换；其特征在于，所述读写方法包括读取方法，所述读取方法包括： 向超导层施加读取电流Iread，Ic+M－IreadIc+M+，其中，Ic+M+表示铁磁层正磁化方向下超导层的正向临界电流，Ic+M－表示铁磁层负磁化方向下超导层的正向临界电流； 当铁磁层磁化为正磁化方向时，超导层处于超导态，超导层的纵向电压Vxx=0，表征为逻辑1； 当铁磁层磁化为负磁化方向时，超导层处于正常态时，超导层的纵向电压Vxx＞0，表征为逻辑0。
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