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龙图腾网获悉成都理工大学申请的专利一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121141760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511685551.0，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法是由唐川;陈磊;肖晨;王雷;黄治力;钱林茂设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法。该石墨烯气体传感器包括气敏材料和设置于气敏材料两端的电极，气敏材料为具有特定边缘结构的石墨烯条带，特定边缘结构包括沿ZZ晶体取向或AC晶体取向定向加工形成的ZZ边缘结构或AC边缘结构。该制备方法包括：通过化学气相沉积法在硅衬底上形成单层石墨烯，再对其晶格结构进行表征，确定石墨烯晶格中的AC方向与ZZ方向，明确晶体取向；基于已确定的晶体取向，沿特定晶体取向进行定向加工，以形成目标的特定边缘结构，从而得到具有特定边缘结构的石墨烯条带；以具有特定边缘结构的石墨烯条带为气敏材料，在其两端沉积电极，形成欧姆接触，以完成石墨烯气体传感器的器件制备。

本发明授权一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤： S1、通过化学气相沉积法在硅衬底上形成单层石墨烯，再对其晶格结构进行表征，确定石墨烯晶格中的AC方向与ZZ方向，明确晶体取向； S2、基于已确定的晶体取向，沿特定晶体取向进行定向加工，以形成目标的特定边缘结构，从而得到具有特定边缘结构的石墨烯条带； S3、以具有特定边缘结构的石墨烯条带为气敏材料，在其两端沉积电极，形成欧姆接触，以完成石墨烯气体传感器的器件制备； 所述特定边缘结构的调控方法为机械划痕，利用上述调控方法在石墨烯条带上沿ZZ晶体取向或AC晶体取向定向加工，以形成目标的特定边缘结构； 所述单层石墨烯沉积在具有氧化层的硅衬底上，在化学气相沉积过程中，控制反应腔温度、通入甲烷流量、氢气流量、生长时间和冷却速率，以保证石墨烯薄膜的单层覆盖率不低于95%，并通过光学显微镜和拉曼光谱分析确认其层数与晶体质量； 所述机械划痕采用摩擦磨损试验机，划痕方向沿已标定的ZZ晶体取向或AC晶体取向，所述石墨烯条带在划痕后依次进行超声清洗、去离子水冲洗和高纯氮气吹扫处理，以去除表面污染物并保持界面洁净。

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