北京中科银河芯科技有限公司姜宇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科银河芯科技有限公司申请的专利一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121141763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511295013.0，技术领域涉及：G01N27/22；该发明授权一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器是由姜宇;郭桂良设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器，涉及半导体技术领域，包括：湿敏电容部分、参考电容部分、外围应力保护层以及过刻阻挡层；湿敏电容部分包括顶层金属构成的叉指式电极，湿敏电容部分的表面和间隙覆盖有感湿材料，且直接暴露于空气中；参考电容部分表面设置有隔离层；参考电容部分与湿敏电容部分具有相同的电极结构和感湿材料；外围应力保护层包括多层金属构成的环形接地结构；过刻阻挡层包括次顶层金属，分布于顶层金属间隙下方并与顶层金属部分重叠。本发明用于解决现有技术中湿度传感器长时间使用在高温高湿等比较恶劣的环境下，湿度传感器会产生漂移的问题。
本发明授权一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS工艺的无漂移湿度传感器，其特征在于，包括： 湿敏电容部分、参考电容部分、外围应力保护层以及过刻阻挡层； 所述湿敏电容部分包括顶层金属构成的叉指式电极，所述湿敏电容部分的表面和间隙覆盖有感湿材料，且直接暴露于空气中； 所述参考电容部分表面设置有隔离层；所述参考电容部分与所述湿敏电容部分具有相同的电极结构和感湿材料； 所述外围应力保护层包括多层金属构成的环形接地结构； 所述过刻阻挡层包括次顶层金属，分布于所述顶层金属间隙下方并与顶层金属部分重叠；所述湿敏电容部分的所述感湿材料与空气直接接触，随空气中的湿度线性变化；所述参考电容部分的感湿材料表面有氮化硅作为保护和隔离，不与空气直接接触； 所述湿敏电容部分与所述参考电容部分在同一层上，且表面均覆盖有相同的感湿材料；基于所述湿敏电容部分和所述参考电容部分的差值消除温度变化引起的湿度漂移。
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