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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利晶圆位姿检测方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121147318B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511697042.X，技术领域涉及：G06T7/73；该发明授权晶圆位姿检测方法及电子设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆位姿检测方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶圆位姿检测方法及电子设备，其方法包括：获取目标晶圆的晶圆图像；采用行优先和列优先双向扫描策略结合轮廓两侧灰度对比策略对晶圆图像进行轮廓提取处理，获得目标晶圆的边缘轮廓；根据边缘轮廓确定目标晶圆的晶向标识类型，并根据晶向标识类型选用对应的位姿检测方式计算出晶向标识相对于圆心位置的极角，以基于极角确定目标晶圆的朝向。基于该方法可以实现在低对比度、存在污染、缺陷及亮度不均情况下稳健地提取晶圆边缘轮廓，提升晶圆位姿检测的稳定性和效率，且可根据轮廓特征自动识别晶圆的晶向标识类型，进而基于晶向标识类型来执行相对应的位姿检测，可兼容缺口型晶圆和直边型晶圆的圆心定位与定向处理，适用性更高。

本发明授权晶圆位姿检测方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆位姿检测方法，其特征在于，包括： 获取目标晶圆的多帧晶圆图像； 采用行优先和列优先双向扫描策略结合轮廓两侧灰度对比策略对所述晶圆图像进行轮廓提取处理，获得所述目标晶圆的边缘轮廓；其中，所述行优先和列优先双向扫描策略具体为从行优先扫描和列优先扫描两种扫描策略中选择能够获得更多轮廓点的扫描策略来进行轮廓提取；所述轮廓两侧灰度对比策略具体为从扫描策略的正向扫描和逆向扫描两种扫描方向中选择能够从高灰度值像素点一侧扫描至低灰度值像素点一侧的扫描方向来进行轮廓提取； 根据所述边缘轮廓确定所述目标晶圆的晶向标识类型，并根据所述晶向标识类型选用对应的位姿检测方式计算出晶向标识相对于圆心位置的极角，以基于所述极角确定所述目标晶圆的朝向，包括： 若所述目标晶圆的晶向标识类型为缺口型，则对所述边缘轮廓进行圆检测，定位得到缺口标识所处的轮廓区间； 将所述边缘轮廓中位于所述轮廓区间内的轮廓点剔除并对剩余轮廓点进行直线拟合和圆拟合处理，得到所述目标晶圆的主轴线和圆心位置； 计算所述边缘轮廓中每个轮廓点到所述主轴线的距离，基于预设的第一距离阈值分割得到距离异常的轮廓点所形成的分段轮廓，根据所述分段轮廓计算得到所述缺口标识的中心位置； 计算所述缺口标识的中心位置相对于所述圆心位置的极角，以基于所述极角确定所述目标晶圆的朝向； 所述方法还包括： 基于多帧晶圆图像分别进行轮廓提取得到多组有效轮廓点，对所述多组有效轮廓点进行融合及圆拟合处理得到多帧融合的第一边缘轮廓，将所述第一边缘轮廓确定为所述目标晶圆的边缘轮廓；和或 基于多帧晶圆图像进行多次位姿检测得到多个晶向标识相对于圆心位置的极角，将所述多个晶向标识相对于圆心位置的极角分别转换为向量并进行向量加权平均处理得到多帧融合的极角，基于所述多帧融合的极角确定所述目标晶圆的朝向。

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