龙迅半导体(合肥)股份有限公司王登峰获国家专利权
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龙图腾网获悉龙迅半导体(合肥)股份有限公司申请的专利一种硅基OLED微显示屏获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121152511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511676338.3,技术领域涉及:H10K59/35;该发明授权一种硅基OLED微显示屏是由王登峰;苏进;陈峰;邰连梁;任殿升;夏洪锋设计研发完成,并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基OLED微显示屏在说明书摘要公布了:本申请公开了一种硅基OLED微显示屏,通过由OLED有机材料层在电驱动下发出白光,根据显示内容进行智能判断,自动选择最优工作模式,当需要显示高饱和度纯色时,切换至纯色透明模式,此时超表面光学分离层保持透明特性,使白光直接透射至对应颜色的彩膜单元;当需要显示混合色彩时,则启动混色分离模式,将入射白光按可见光谱分离为红、绿、蓝三基色光,并按预设光学路径精确导向对应的RGB彩膜单元,最后,经过精准分离和导向的各色光通过对应彩膜输出,最终合成高亮度、低功耗的全彩色画面。即在白光OLED发光层与彩色滤光片之间增设一层超表面光学分离层,显示光学利用效率大幅提升。
本发明授权一种硅基OLED微显示屏在权利要求书中公布了:1.一种硅基OLED微显示屏,其特征在于,包括:硅基CMOS背板层,OLED功能层,超表面光学分离层和彩色滤光片层; 所述OLED功能层,设置于所述硅基CMOS背板层之上,用于在电驱动下产生白光; 所述超表面光学分离层,设置于所述OLED功能层的出光路径上,所述超表面光学分离层包括相变材料层以及用于向所述相变材料层施加电激励信号的电极结构; 所述彩色滤光片层,设置于所述超表面光学分离层的出光侧; 所述硅基CMOS背板层中集成有控制电路,所述控制电路接收输入的RGB显示数据;对所述RGB显示数据进行分析,计算画面的色彩饱和度与主导颜色;基于所述色彩饱和度与主导颜色的分析结果进行显示模式判别,当判别为画面属于单色或低饱和度纯色内容时,生成指示采用纯色透明模式的模式控制信号;当判别为画面属于高饱和度混色内容时,生成指示采用混色分离模式的模式控制信号; 所述电极结构用于向所述相变材料层施加电激励信号,控制所述相变材料层在非晶态与晶态之间可逆切换,改变所述超表面光学分离层的光学调控功能,所述电极结构响应于所述模式控制信号,向所述相变材料层施加电脉冲激励,当所述模式控制信号指示显示内容为高饱和度纯色时,施加第一电脉冲使所述相变材料层处于非晶态,所述超表面光学分离层对所述OLED功能层发出的白光呈现透明特性,构成纯色透明模式,使白光直接透过对应的彩色滤光片输出; 当所述模式控制信号指示显示内容为混合色彩时,施加第二电脉冲使所述相变材料层处于晶态,所述超表面光学分离层被激活,将所述白光分离为红、绿、蓝三色光并分别导向所述彩色滤光片层中对应的红、绿、蓝滤光单元,构成混色分离模式。
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