博越微电子(江苏)有限公司李帅获国家专利权
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龙图腾网获悉博越微电子(江苏)有限公司申请的专利一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121168404B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511699636.4，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法是由李帅;张冬青设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法，涉及高速接口技术领域，该方法包括：获取高速接口ESD保护结构的基础金属特征，其中，高速接口ESD保护结构采用高层金属；随机设置所述高速接口ESD保护结构的过孔参数，其中，过孔参数包括过孔数量和全部过孔的坐标参数；根据所述过孔参数和基础金属特征，进行ESD预测和寄生电容预测，获得耐受参数和寄生电容；根据所述耐受参数和寄生电容，计算获得ESD适应度，并进行迭代优化，获得最优过孔参数，结合所述基础金属特征，作为ESD设计结果。解决了高速接口现有画法寄生电容较大和现有画法ESD通流能力较难均衡寄生和通流的技术问题。
本发明授权一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法在权利要求书中公布了：1.一种降低寄生电容的高速口ESD设计方法，其特征在于，所述方法包括： 获取高速接口ESD保护结构的基础金属特征，其中，高速接口ESD保护结构采用高层金属直接过孔到底层ESD器件； 随机设置所述高速接口ESD保护结构的过孔参数，其中，过孔参数包括过孔数量和全部过孔的坐标参数； 根据所述过孔参数和基础金属特征，进行ESD预测和寄生电容预测，获得耐受参数和寄生电容； 根据所述耐受参数和寄生电容，计算获得ESD适应度，并进行迭代优化，获得最优过孔参数，结合所述基础金属特征，作为ESD设计结果。
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