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龙图腾网获悉中国航天空气动力技术研究院申请的专利一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法及阻抗匹配设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121191663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511733890.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法及阻抗匹配设计方法是由张赢;马弢;俞继军设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法及阻抗匹配设计方法在说明书摘要公布了：一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法及阻抗匹配设计方法,预测方法包括：实验测量三维结构单胞构型使用的损耗材料的基本电磁参数，假设所述损耗材料是各向同性介质，构型的每层材料按照占空比计算等效电磁参数；根据三维结构单胞构型整体计算分维数，并确定三维结构单胞构型的每层占空比、厚度；通过损耗材料的基本电磁参数和分维数、占空比，构造结构共振效应因子，进而修正阻抗梯度修正系数；建立结构界面宏观等效物理特征参量的模型方程，利用模型方程计算三维结构单胞构型的界面波阻抗和表面反射率。理论与仿真计算的吸收峰频点位置基本一致，宏观等效计算方法可以准确预测吸收峰频点位置，说明了计算方法的有效性。

本发明授权一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法及阻抗匹配设计方法在权利要求书中公布了：1.一种三维结构单胞构型的电磁性能预测方法,所述的三维结构单胞构型为多层结构；其特征在于:包括 实验测量三维结构单胞构型使用的损耗材料的基本电磁参数，假设所述损耗材料是各向同性介质，构型的每层材料按照占空比计算等效电磁参数；所述的基本电磁参数包括负介电常数和负磁导率； 根据三维结构单胞构型，采用分形几何学中的计盒维数计算方法计算构型整体的分维数，并确定三维结构单胞构型的每层占空比、每层厚度； 通过损耗材料的基本电磁参数和分维数、占空比，构造结构共振效应因子，进而修正阻抗梯度修正系数； 依据修正的阻抗梯度修正系数、每层厚度、等效电磁参数建立结构界面宏观等效物理特征参量的模型方程，利用模型方程计算三维结构单胞构型的界面波阻抗和表面反射率，根据表面反射率预测构型电磁性能; 所述的结构共振效应因子的计算公式如下： 式中，为第k层材料的占空比，为结构的分维数，为构型所占空间的维数，取值为3; 所述的模型方程为： 式中，为第k层的输入阻抗即界面波阻抗，为第k层的厚度，为第k层材料复传播常数，为第k层材料的参数本征阻抗。

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