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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121204806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511746850.0，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法是由闫洪嘉;李涛勇设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法，该装置在第一坩埚底面下部增设第二加热器，其加热部位在x‑y平面最大横径小于第一坩埚盛放熔硅部分最大内径的80%，或外周轮廓面积小于该部分截面最大面积的64%；该装置还在第一加热器与第二加热器之间或紧邻第一坩埚侧壁外周设置第二隔热及热反射器，其内层反射面对1μm~5μm热辐射的漫反射率达50%~99%。进而降低第一坩埚侧壁腰部温度，防止软化坍塌，延长使用寿命，提高装料量；同时优化熔硅对流方向，减少氧杂质融入，提升晶体质量；并利用高效热反射提升热效率，降低热对流，增强热传导，提高整体能效与工艺稳定性。

本发明授权直拉硅单晶的装置及第一坩埚、直拉硅单晶及拉制方法在权利要求书中公布了：1.一种直拉硅单晶的装置，包括第一坩埚、埚帮、埚托、第一加热器、冷屏、硅单晶提拉装置，所述第一加热器设置于第一坩埚初始埚位的上方，其特征在于，所述直拉硅单晶的装置还包括位于第一坩埚底面下部的第二加热器，所述第二加热器是电阻加热器，所述第二加热器加热部位在x-y平面方向的最大横径小于所述第一坩埚盛放熔硅部分最大内径的80%；或者所述第二加热器在x-y平面方向外周外轮廓面积小于所述第一坩埚盛放熔硅部分的x-y平面方向截面最大面积的64%；所述第二加热器的加热部位围绕在坩埚轴周围；所述第一加热器设置于所述第一坩埚内的熔硅平面以上； 在所述第一加热器下方，所述第一加热器与所述第二加热器之间，紧邻所述埚帮的外周，围护设有第二隔热及热反射器； 或者在所述第一加热器下方，紧邻所述第一坩埚的侧壁外周，围护设有第二隔热及热反射器； 所述第二隔热及热反射器的内层反射面对波长1μm~5μm范围热辐射的热能漫反射率R至少为如下范围之一： 150%＜R≤75%； 275%＜R≤85%； 385%＜R≤99%。

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