中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于确定3C-SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121207971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511668474.8，技术领域涉及：G01N21/84；该发明授权用于确定3C-SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法是由陈小龙;李辉;杨云帆;赵琳琳;盛达;郭建刚;王文军设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定3C-SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于确定3C‑SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法，其包括以下步骤：1将3C‑SiC单晶晶片浸入熔融碱中，进行腐蚀处理；2取出腐蚀后的3C‑SiC单晶晶片并观察其表面形貌：若表面仅呈现堆垛层错特征，则判定该面为C面；若表面同时存在堆垛层错和位错腐蚀坑特征，则判定该面为111Si面。本发明首次发现并利用熔融碱对3C‑SiC单晶的111Si面与C面腐蚀形貌的固有差异：111Si面会同时呈现堆垛层错与位错腐蚀坑，而C面仅出现堆垛层错。通过观察这种显著的形貌对比，即可实现两个晶面的快速、准确判别。
本发明授权用于确定3C-SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于确定3C-SiC单晶晶片的硅面和碳面的方法，其包括以下步骤： 1将3C-SiC单晶晶片浸入熔融碱中，进行腐蚀处理； 2取出腐蚀后的3C-SiC单晶晶片并观察其表面形貌： -若表面仅呈现堆垛层错特征，则判定该面为C面； -若表面同时存在堆垛层错和位错腐蚀坑特征，则判定该面为111Si面； 所述熔融碱的温度为450-550℃； 所述熔融碱选自KOH、NaOH和Na2O2中的一种或几种； 所述腐蚀处理进行5-30min。
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