哈尔滨工业大学杨峰获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121208579B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511784658.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法是由杨峰;王飞;刘俊岩;李荣成;岳洪浩设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法在说明书摘要公布了：基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法，涉及半导体封装检测技术领域。本申请是为了解决现有半导体封装缺陷检测方法存在的诸多问题。本申请向被测半导体封装施加电流激励使其产热，并采集被测半导体封装的热图序列；根据电流激励合成所述热图序列每阶谐波的同频正交参考信号；利用所述同频正交参考信号对解调相位进行提取；根据四阶解调相位提取主导路径；根据五阶和六阶解调相位对所述主导路径进行验证，若验证所述主导路径无误，则确定被测半导体封装存在所述主导路径对应的失效状态，否则重新采集被测半导体封装的热图序列再次进行检测。适用于半导体封装制造与测试、质量与可靠性管控、失效分析等领域。
本发明授权基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法在权利要求书中公布了：1.基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法，其特征在于，包括： 向被测半导体封装施加电流激励使其产热，并采集被测半导体封装的热图序列； 根据电流激励合成所述热图序列每阶谐波的同频正交参考信号； 利用所述同频正交参考信号对解调相位进行提取； 根据四阶解调相位提取主导路径； 根据五阶和六阶解调相位对所述主导路径进行验证，若验证所述主导路径无误，则确定被测半导体封装存在所述主导路径对应的失效状态，否则重新采集被测半导体封装的热图序列再次进行检测。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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