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龙图腾网获悉上海领耐半导体技术有限公司申请的专利组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511793976.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法是由薛磊;金波设计研发完成，并于2025-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法。该制作方法中，基底上的第二介质层覆盖组对存储单元上的第一接触结构；第二介质层上的刻蚀停止层的多个第一自对准开口分别与多个第一接触结构位置对应，且宽度小于第一接触结构的宽度；在刻蚀停止层上依次生成第三介质层和多条心轴结构；在每条心轴结构的两侧形成侧墙；去除心轴结构；在侧墙的掩蔽下且在刻蚀停止层的限制下，刻蚀第三介质层和第二介质层形成多条局部位线凹槽，一条局部位线凹槽的一部分底面位于第一自对准开口下方并露出一列第一接触结构；在局部位线凹槽内填充导电材料形成多条局部位线。这样可以缩小相邻局部位线之间的间距，有利于闪存面积缩小。

本发明授权组对结构的单存储管NOR闪存及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种组对结构的单存储管NOR闪存的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括存储阵列区，所述存储阵列区中具有行列排布的多个组对存储单元，一个所述组对存储单元包括源区相连接的两个存储管，每个所述存储管的漏区上具有第一接触结构，一列所述组对存储单元对应两列所述第一接触结构且一个所述组对存储单元的两个所述第一接触结构位于不同的第一接触结构列中； 在所述基底上生成第二介质层，所述第二介质层覆盖多个所述第一接触结构； 在所述第二介质层上生成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层具有多个第一自对准开口，一个所述第一自对准开口与一个所述第一接触结构位置对应，且所述第一自对准开口的宽度小于所述第一接触结构的宽度； 在所述刻蚀停止层上生成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述刻蚀停止层和所述第二介质层； 在所述第三介质层上生成多条心轴结构，一列所述组对存储单元上设置一条所述心轴结构，一条所述心轴结构位于一列所述第一接触结构的上方； 在每个所述心轴结构的两侧形成侧墙，相邻两条所述心轴结构之间的侧墙具有空隙，所述空隙位于上方未设置所述心轴结构的一列所述第一接触结构的上方； 去除所述心轴结构； 在所述侧墙的掩蔽下且在所述刻蚀停止层的限制下，刻蚀所述第三介质层和所述第二介质层并停止在所述刻蚀停止层和所述第一接触结构上，形成多条局部位线凹槽，一条所述局部位线凹槽的一部分底面位于所述刻蚀停止层上且一部分底面位于所述第一自对准开口下方并露出一列所述第一接触结构；以及 在所述局部位线凹槽内填充导电材料形成多条局部位线，一条所述局部位线部分穿过对应的所述第一自对准开口并连接一列所述第一接触结构。

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