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龙图腾网获悉大连理工大学;大连理工大学科技园有限公司申请的专利一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121263053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511806836.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法是由曹暾;郑闯;廉盟;陈子健;曹高峰;张鸣琪;程泽旭;刘宽;刘健;郭东明设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法，属于微纳制造技术和硫属化物相变调控领域。电控结构包括衬底，衬底上的绝热层、加热板结构、正面电极结构、绝缘层、硫属化物相变材料层，衬底下的背面电极结构；背面电极结构通过通孔结构与正面电极结构电气贯通。首先建立阵列型微加热单元模型，确定各功能层的材料类型及厚度参数后进行制备；通过对阵列施加可控电脉冲信号，实现硫属化物相变材料的同步结晶与非晶化调控。本发明能够实现阵列中各硫属化物相变单元的快速、稳定、可重复的同步电控切换；能够在大面积阵列中实现相变单元结晶状态的稳定可逆调控，保证阵列整体的空间同步性与均匀性。

本发明授权一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列型硫属化物相变材料电控结构，其特征在于，所述相变材料电控结构包括衬底1、绝热层2、加热板结构3、正面电极结构4、绝缘层5、硫属化物相变材料层6、背面电极结构7； 所述的衬底1作为整个结构的支撑基底； 所述的绝热层2沉积在衬底1表面； 所述的加热板结构3设置于绝热层2的上表面； 所述的正面电极结构4设置于加热板结构3两端，用于与加热单元电气连接，实现单元的同步通断控制； 所述的绝缘层5设置于加热板结构3的中部，不与正面电极结构4接触，用于实现加热板结构3与硫属化物相变材料层6之间的电隔离；所述绝缘层5的覆盖面积与硫属化物相变材料层6面积一致，且不延伸至正面电极结构4所在区域，确保电极与外部电路的导通； 所述的硫属化物相变材料层6沉积于绝缘层5表面，面积与绝缘层5相同，用于实现相变功能；所述硫属化物相变材料层6在外加脉冲电压作用下能够实现晶化与非晶化的可逆转变，构成具备独立调控能力的基础单元结构； 所述的背面电极结构7沉积于经预处理的衬底1下表面，背面电极结构7通过通孔结构8与正面电极结构4电气贯通，用于提供整体电连接； 衬底1上方的绝热层2及其上方结构、衬底1底部的背面电极结构7，呈周期性阵列分布； 通过在阵列中集成多个背面电极结构7，实现阵列级同步电控； 通过在阵列中集成多个硫属化物相变材料层6，实现多单元的独立或同步电控，为后续阵列级光学或电学性能调控提供结构基础。

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