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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121284994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511834640.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权鳍式场效应晶体管及其形成方法是由王文智设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式场效应晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，在外延层内形成第一开口，以形成台阶型外延层；继续刻蚀台阶型外延层，第一开口延伸至衬底内，并在外延层内形成第二开口；在第一开口内形成第一浅沟槽隔离结构，且第一浅沟槽隔离结构的顶表面与第二开口的底壁齐平；刻蚀第二开口底部的外延层，以使第二开口延伸至衬底内，剩余的外延层构成鳍。本发明意想不到的效果是，通过刻蚀工艺形成高度不同的台阶型外延层，继续刻蚀外延层形成深度不同的第一开口和第二开口，在第一开口内形成与第二开口底壁齐平的第一浅沟槽隔离结构，再继续刻蚀第二开口到衬底中，以形成鳍，由于第一浅沟槽隔离结构的支撑，避免了鳍形成过程中倒塌的问题。

本发明授权鳍式场效应晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有外延层； 执行第一刻蚀工艺，刻蚀部分所述外延层，在所述外延层内形成第一开口，以形成台阶型的外延层； 形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述第一开口的侧壁； 执行第二刻蚀工艺，以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述外延层和所述衬底，所述第一开口延伸至所述衬底内，并在所述外延层内形成第二开口； 形成第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构位于所述第一开口内，且所述第一浅沟槽隔离结构的顶表面与所述第二开口的底壁齐平； 执行第三刻蚀工艺，以所述硬掩模层为掩模刻蚀所述第二开口底部的外延层，以使所述第二开口延伸至所述衬底内，所述第一开口与所述第二开口之间剩余的所述外延层构成鳍式场效应晶体管的鳍； 其中，形成所述第一浅沟槽隔离结构的步骤包括： 形成第一隔离层，所述第一隔离层填满所述第一开口和所述第二开口； 刻蚀所述第一开口内的部分所述第一隔离层和所述第二开口内的全部所述第一隔离层，暴露出所述第二开口的底壁，且使所述第一开口内的所述第一隔离层的顶表面与所述第二开口的底壁齐平，所述第一开口内剩余的第一隔离层构成第一浅沟槽隔离结构。

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