买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种常关型的栅控结型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121285017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511821310.4，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种常关型的栅控结型场效应晶体管是由吴同飞;高秀秀设计研发完成，并于2025-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种常关型的栅控结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供一种常关型的栅控结型场效应晶体管，包括JFET结构，JFET结构包括：第二掺杂类型的宽禁带半导体的JFET基底区；在JFET基底区相背的两侧形成各自第一掺杂类型的栅区，JFET基底区位于两个栅区之间的部分作为沟道区，两个栅区和沟道区形成两个背靠背的第一PN结；其中，沟道区的掺杂浓度小于栅区的掺杂浓度，且沟道区的宽度2L、沟道区的掺杂浓度和栅区的掺杂浓度满足预设关系式，使得第一PN结在未接外接电压时，两个第一PN结的耗尽区完全覆盖沟道区的整个宽度范围，进而使得常关型的栅控结型场效应晶体管保持关断。本申请解决了传统的常开型栅控结型场效应晶体管存在安全风险且驱动电路成本高的技术问题。

本发明授权一种常关型的栅控结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种常关型的栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括JFET结构，所述JFET结构包括： 第二掺杂类型的宽禁带半导体的JFET基底区； 在所述JFET基底区相背的两侧形成各自第一掺杂类型的栅区，所述JFET基底区位于两个所述栅区之间的部分作为沟道区，两个所述栅区和沟道区形成两个背靠背的第一PN结； 其中，所述沟道区的掺杂浓度小于所述栅区的掺杂浓度，且所述沟道区的宽度2L、所述沟道区的掺杂浓度和所述栅区的掺杂浓度满足预设关系式，使得第一PN结在未接外接电压时，两个所述第一PN结的耗尽区完全覆盖所述沟道区的整个宽度范围，进而使得常关型的栅控结型场效应晶体管保持关断； 第一PN结在未接外接电压时，两个所述第一PN结的耗尽区以至少部分重叠的方式完全覆盖所述沟道区的整个宽度范围； 所述沟道区的宽度2L、所述沟道区的掺杂浓度和所述栅区的掺杂浓度满足的预设关系式如下： ； 其中，ND为第一掺杂类型的栅区的掺杂浓度，NA为第二掺杂类型的JFET基底区的掺杂浓度，k为玻尔兹曼常数，为半导体介电常数，q为电子电荷量，ni为本征载流子浓度，T为绝对温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州龙驰半导体科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市高新区金庄街28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。