常州臻晶半导体有限公司柯尊斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉常州臻晶半导体有限公司申请的专利基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121295359B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511854458.8，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备是由柯尊斌;王晗;陆敏设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及基于液相法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备。其中，基于液相法的碳化硅晶体生长工艺，通过预压设备对配料进行压实，从而减少配料间的孔隙，从而减少配料熔融过程中气体释放的气泡的总量，进而提高了晶体生长的稳定性，同时，通过将配料压实，使坩埚的高度降低，从而减少坩埚从溶液表面伸出的距离，使坩埚和溶液整体处在高温区，降低与低温区的热交换，从而避免热损失，确保了生长界面的温度梯度的稳定性，进一步提高了晶体生长的稳定性。
本发明授权基于液相法的碳化硅晶体生长工艺及预压设备在权利要求书中公布了：1.一种基于液相法的碳化硅晶体生长工艺，其特征在于，所述工艺包括： 通过预压设备对配料进行预压； 通过推料盘300解除压紧后的配料与预压设备的内腔的粘连； 将压紧后的配料取出； 将配料放入与配料融化后溶液高度适配的坩埚中； 将坩埚放入碳化硅晶体生长炉中进行碳化硅晶体生长； 所述将配料放入与配料融化后溶液高度适配的坩埚中，与配料融化后溶液高度适配的坩埚高度为h； 坩埚高度h的获取方式如下： 获取配料融化后的溶液高度H； 坩埚高度h为预设差值a与融合高度H之和 其中，h、H和a的单位为mm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人常州臻晶半导体有限公司，其通讯地址为：213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励