芯联集成电路制造股份有限公司谢仕源获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利高压半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511834633.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权高压半导体器件及其制造方法是由谢仕源;吴荣成;白鑫;耿爽设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，通过在传统有源区刻蚀步骤中同步于漂移区内刻蚀出场板条形槽，并在后续工艺中于槽内填充掺杂多晶硅形成嵌入式场板结构。与现有技术相比，彻底解决了大尺寸接触孔导致的工艺可靠性问题，且在提升器件性能的同时大幅降低了制造成本。
本发明授权高压半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并对所述衬底进行有源区刻蚀，以在所述衬底中同步形成STI沟槽和场板条形槽，所述场板条形槽形成于有源区的漂移区内； 沉积STI氧化层，以填充所述STI沟槽和所述场板条形槽； 对所述场板条形槽内的所述STI氧化层进行刻蚀，以在所述场板条形槽中保留预定厚度的STI氧化层作为场板介质层； 在所述衬底上形成掺杂多晶硅层，并刻蚀所述掺杂多晶硅层，以形成场板结构，所述场板结构至少填充所述场板条形槽未被所述场板介质层填充的区域； 执行金属硅化工艺，以形成金属硅化物层，所述金属硅化物层至少形成于所述场板结构的表面； 沉积层间介质层，所述层间介质层覆盖所述场板结构及所述衬底表面；以及， 对所述层间介质层进行刻蚀，以形成接触孔，所述接触孔的位置与所述金属硅化物层的形成位置相对应。
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