厦门大学张峰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种具有波导结构的光电导开关器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511863616.6，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种具有波导结构的光电导开关器件是由张峰;刘正冉;张国良;陈思田;刘佳;邱宇峰;张荣设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有波导结构的光电导开关器件在说明书摘要公布了：一种具有波导结构的光电导开关器件，属于功率半导体领域，包括：暗态高阻型光敏衬底，其同时作为光电导体的功能区域和光波导的芯层；形成于衬底上下方的高反射率正面电极和高反射率背面电极；形成于衬底侧壁的侧面增反膜；设置于衬底上的波导耦入窗口，用于将触发光源发出的光以大于衬底材料全反射临界角的角度耦合入所述衬底内部，以使光束在衬底内横向传导。本发明极大延长光电导开关器件对于非本征波长的有效光程，保证入射光充分吸收，有效提升器件光响应度与光电流，降低导通电阻，解决传统光电导器件电极金属挡光引发的光电场失配问题，同时入光区域与电极区域隔离，避免光学表面微结构引发的电场集中问题，有利于提升器件的阻断能力。
本发明授权一种具有波导结构的光电导开关器件在权利要求书中公布了：1.一种具有波导结构的光电导开关器件，其特征在于，包括： 一个暗态高阻型光敏衬底，其同时作为光电导体的功能区域和光波导的芯层； 形成于所述暗态高阻型光敏衬底上下方的高反射率正面电极和高反射率背面电极； 形成于所述暗态高阻型光敏衬底侧壁的侧面增反膜； 一个设置于所述暗态高阻型光敏衬底上的倾斜光栅波导耦入窗口，用于将触发光源发出的光以大于所述暗态高阻型光敏衬底材料全反射临界角的单一角度耦合入所述衬底内部，以使光束在衬底内通过全反射进行横向传导；其中，入光区域与电极区域隔离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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