深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511875924.0，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法，该电池包括：从下至上依序设置的晶硅底电池、隧穿层以及钙钛矿顶电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿吸收层，所述钙钛矿吸收层带有纳米支架。通过实施本发明的电池可实现能够有效抑制钙钛矿材料在温度升高过程中产生的外部晶格热膨胀，进而降低整个叠层电池器件的温度系数，提升其在高温环境下的实际发电性能；解决现有钙钛矿晶硅叠层电池因温度系数偏高导致实际发电性能受限的问题。
本发明授权一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低温度系数的钙钛矿晶硅叠层电池，其特征在于，包括：从下至上依序设置的晶硅底电池、隧穿层以及钙钛矿顶电池；所述钙钛矿顶电池包括钙钛矿吸收层，所述钙钛矿吸收层带有纳米支架； 所述纳米支架包括氧化物纳米支架； 所述氧化物纳米支架包括氧化锌、氧化铝、二氧化硅纳米颗粒中至少一个； 所述钙钛矿顶电池包括设置在隧穿层上的空穴传输层以及钙钛矿吸收层； 所述钙钛矿吸收层的制作方法包括： 制备钙钛矿前驱液； 将所述钙钛矿前驱液均匀涂覆在空穴传输层表面； 旋涂结束后，进行闪蒸操作，以得到半成品钙钛矿湿膜； 闪蒸结束后，在半成品钙钛矿湿膜上旋涂氧化物纳米颗粒悬浊液，并进行退火处理； 氧化物纳米颗粒均匀附着于钙钛矿薄膜内部的晶界处，形成氧化物纳米支架，以抑制钙钛矿材料在高温下的外部晶格热膨胀。
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