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龙图腾网获悉吉林省旗研智诚电子科技有限公司申请的专利BMS限流充电电路、装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121332851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511892398.9，技术领域涉及：H02J7/90；该发明授权BMS限流充电电路、装置及方法是由吕衍芳;宫坚;徐皓;董贺设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本BMS限流充电电路、装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种BMS限流充电电路、装置及方法，涉及电池管理技术领域，电路包括电池组、充电电源、电池管理系统及分别与电池管理系统连接的正常充电回路和限流充电回路；电池管理系统被配置为：实时监测所述电池组的温度，基于当前温度和预设的使能条件，选择性导通正常充电回路或限流充电回路，当限流充电回路被导通时，通过查询预存的温度与电流映射关系确定目标充电电流，并调节所述限流模块的输出电压，使得实际充电电流限制于目标电流，通过在低温或高温等异常温度下自动切换至限流充电模式，显著降低充电电流，有效抑制了锂钠枝晶的生长，避免了因枝晶刺穿隔膜导致的内短路风险，极大提升了电池系统的安全性。

本发明授权BMS限流充电电路、装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种BMS限流充电电路，其特征在于，包括电池组、充电电源、电池管理系统及分别与所述电池管理系统连接的正常充电回路和限流充电回路； 所述正常充电回路，包括第一开关单元，用于在正常充电模式下建立所述充电电源与所述电池组之间的充电连接； 所述限流充电回路，与所述正常充电回路并联连接，包括第二开关单元和限流模块，用于在限流充电模式下，通过第二开关单元和限流模块的协同作用，对流向所述电池组的充电电流进行限制；所述第二开关单元包括第三MOSFET管和第四MOSFET管，所述第三MOSFET管和第四MOSFET管的栅极分别与所述电池管理系统的MCU驱动模块连接，所述第三MOSFET管的漏极与所述电池组的负极连接，所述第三MOSFET管的源极与所述限流模块的第一端连接；所述第四MOSFET管的漏极与所述充电电源的正极连接，所述第四MOSFET管的源极与所述限流模块的第二端连接； 其中，所述电池管理系统被配置为： 实时监测所述电池组的温度，基于当前温度和预设的使能条件，选择性导通正常充电回路或限流充电回路，当限流充电回路被导通时，通过查询预存的温度与电流映射关系确定目标充电电流，并调节所述限流模块的输出电压，使得实际充电电流限制于所述目标充电电流； 在限流充电模式下，控制所述第一开关单元断开，以切断所述正常充电回路； 控制所述第二开关单元中的第三MOSFET管持续导通； 对所述第二开关单元中的第四MOSFET管施加脉冲宽度调制信号； 通过调节所述脉冲宽度调制信号的占空比来调节所述限流模块的等效输出电压，从而将实际充电电流限制于所述目标充电电流。

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