合肥晶合集成电路股份有限公司李猛猛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511871947.4，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权半导体器件及其制造方法是由李猛猛;魏巍;唐鹏飞设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层，以形成贯穿高阻部件并延伸至栅介质层内的凹槽；进行外延生长工艺，使外延生长后的高阻部件填满凹槽中高于栅介质层的部分，并于凹槽中位于栅介质层内的部分形成气隙；形成至少覆盖高阻部件的保护层，并进行离子注入工艺以形成高阻结构，高阻结构包括气隙和经过离子注入的高阻部件；去除保护层。本申请降低了高阻部件和衬底间产生寄生PN结或电容的概率，提高了半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有栅介质层； 于所述栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述高阻部件和所述栅介质层，且所述第一掩膜层内形成有暴露部分所述高阻部件的第一开口； 基于所述第一掩膜层刻蚀所述高阻部件及部分所述栅介质层，以形成贯穿所述高阻部件并延伸至所述栅介质层内的凹槽； 进行外延生长工艺，使外延生长后的所述高阻部件填满所述凹槽中高于所述栅介质层的部分，并于所述凹槽中位于所述栅介质层内的部分形成气隙； 形成至少覆盖所述高阻部件的保护层，并基于所述保护层进行离子注入工艺以形成高阻结构，所述高阻结构包括所述气隙和经过离子注入后的所述高阻部件； 去除所述保护层。
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