合肥晶合集成电路股份有限公司唐鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335522B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511861159.7，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由唐鹏飞;李猛猛;魏巍设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：在衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和部分所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出于所述垫氮化层；第一次平坦化所述绝缘材料直至暴露所述垫氮化层；依次刻蚀去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，直至暴露所述掺杂层；在所述掺杂层和所述浅沟槽内的所述绝缘材料上沉积补偿绝缘材料；第二次平坦化所述补偿绝缘材料和所述绝缘材料直至暴露所述掺杂层，形成浅沟槽隔离结构；去除所述掺杂层。本发明提出的半导体结构的制备方法，能够改善浅沟槽隔离结构的边角凹陷现象。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 提供一衬底； 在所述衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层； 刻蚀部分所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出于所述垫氮化层； 第一次平坦化所述绝缘材料直至暴露所述垫氮化层； 依次刻蚀去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，直至暴露所述掺杂层； 在所述掺杂层和所述绝缘材料上沉积补偿绝缘材料，所述补偿绝缘材料和所述绝缘材料的材料和沉积方法相同； 第二次平坦化所述补偿绝缘材料和所述绝缘材料直至暴露所述掺杂层，形成浅沟槽隔离结构；以及 干法刻蚀去除所述掺杂层，所述掺杂层和所述绝缘材料的刻蚀选择比大于100:1，所述掺杂层的厚度和所述浅沟槽隔离结构与所述衬底之间的台阶高度相等。
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