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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121355697B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511875310.2，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由周寅利;宁永强;张建伟;陈超;张卓设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括：堆叠结构，堆叠结构包括脊波导，堆叠结构分为在第一方向排布的激光振荡区和光束角度调控区，与出光腔面相接的部分脊波导内具有沿第二方向间隔排布的多个凹槽，相邻两个凹槽之间的脊波导作为调控波导；P型主电极位于激光振荡区的脊波导顶面；分布式电极包括多个调控电极，调控电极位于相对应的调控波导顶面；其中，各调控电极加载相应的调控电流，以实现光束角度调控区对初始激光的光束角度进行调控，进而从出光腔面输出目标激光。本发明在无需设置额外光束整形系统的情况下实现了激光发射光束角度的自由调控，有利于简化系统结构以及降低成本。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括脊波导以及依次堆叠的N型电极层、衬底层、N型包层、N型波导层、有源层以及第一P型波导层，所述脊波导在所述第一P型波导层的部分顶面沿第一方向延伸，所述堆叠结构分为在所述第一方向排布的激光振荡区和光束角度调控区，所述光束角度调控区远离所述激光振荡区的端面为出光腔面，与所述出光腔面相接的部分所述脊波导内具有沿第二方向间隔排布的多个凹槽，相邻两个凹槽之间的脊波导作为调控波导； P型主电极，所述P型主电极位于所述激光振荡区的所述脊波导顶面； 分布式电极，所述分布式电极包括沿所述第二方向间隔排布的多个调控电极，所述调控电极与所述调控波导一一对应，所述调控电极位于相对应的所述调控波导顶面； 其中，所述P型主电极加载相应的电流，以实现所述激光振荡区向所述光束角度调控区输出初始激光，各所述调控电极加载相应的调控电流，以实现所述光束角度调控区对所述初始激光的光束角度进行调控，进而从所述出光腔面输出目标激光； 各所述调控电极加载相应的调控电流，形成可调控的载流子分布，半导体材料的折射率与载流子分布相关，以调节各所述调控波导的折射率，所述调控电极加载的调控电流越大，相应所述调控波导的折射率越高。

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