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龙图腾网获悉新美光(苏州)半导体科技有限公司申请的专利一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511906305.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜是由袁丽;李小朵;徐正东设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜，该方法包括构建至少两个级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块，根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果；构建增强图像获取模块、至少两个级联的第二类残差模块、第二刻蚀误差预测模块，根据增强特征图产生第二刻蚀误差预测结果；构建刻蚀误差加权模块，产生刻蚀误差预测结果；构建刻蚀参数自适应调节模块，根据刻蚀误差预测结果进行刻蚀控制。本申请能够自适应地快速、准确得调节刻蚀参数，提高刻蚀控制柜的控制精度和控制效率，满足先进制程对刻蚀精度和效率的需求。

本发明授权一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜在权利要求书中公布了：1.一种半导体刻蚀的优化控制方法，应用于刻蚀控制柜，其特征在于，包括： 步骤S11，构建至少两个级联的第一类残差模块，对待刻蚀图像进行特征提取，产生原始特征图，其中第一类残差模块无池化操作； 步骤S12，构建第一刻蚀误差预测模块，根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果； 步骤S13，构建增强图像获取模块，对待刻蚀图像进行特征增强，产生增强刻蚀图像； 步骤S14，构建至少两个级联的第二类残差模块，对增强刻蚀图像进行特征提取，产生增强特征图，其中第二类残差模块具有池化操作； 步骤S15，构建第二刻蚀误差预测模块，根据增强特征图产生第二刻蚀误差预测结果； 步骤S16，构建刻蚀误差加权模块，对第一刻蚀误差预测结果和第二刻蚀误差预测结果进行加权处理，产生刻蚀误差预测结果； 步骤S17，构建刻蚀参数自适应调节模块，根据刻蚀误差预测结果对预设刻蚀参数进行自适应调节，产生调节后的刻蚀参数，进行刻蚀控制； 所述方法还包括：对级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块构成的第一卷积神经网络预测模型进行训练，对增强图像获取模块、级联的第二类残差模块和第二刻蚀误差预测模块构成的第二卷积神经网络预测模型进行训练，使第一卷积神经网络预测模型的第一刻蚀误差预测结果和第二卷积神经网络预测模型的第二刻蚀误差预测结果之间的差的绝对值满足：

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新美光(苏州)半导体科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区群星三路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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